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1. (WO2017178219) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2017/178219    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/057208
Veröffentlichungsdatum: 19.10.2017 Internationales Anmeldedatum: 27.03.2017
IPC:
H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: STOJETZ, Bernhard; (DE).
BRÜDERL, Georg; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 106 949.3 14.04.2016 DE
Titel (DE) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
(EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION PAR LA TRANCHE
Zusammenfassung: front page image
(DE)In einer Ausführungsform umfasst der kantenemittierenden Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Strahlungserzeugung. Ein elektrischer Kontaktsteg (3) befinden sich an einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2). Der Kontaktsteg (3) ist nur in einem elektrischen Kontaktbereich (30) auf der Oberseite (20) aufgebracht oder steht nur in dem Kontaktbereich (30) mit der Oberseite (20) in elektrischem Kontakt. Die aktive Zone (22) wird nur stellenweise bestromt. Der Kontaktsteg (3) umfasst mehrere Metallschichten (31-35), die übereinander gestapelt angeordnet sind. Wenigstens eine der Metallschichten (31-35) ist mit einer Strukturierung (4) versehen, so dass diese Metallschicht den Kontaktbereich (30) nur zum Teil bedeckt und mindestens eine Öffnung (41) und/oder Unterbrechung (42) aufweist. Durch die Strukturierung (4) sind Verspannungen der Halbleiterschichtenfolge (2) und/oder des Kontaktstegs (3) aufgrund unterschiedlicher Temperaturausdehnungskoeffizienten der Metallschichten (31-35) und/oder der Halbleiterschichtenfolge (2) verringert.
(EN)In one embodiment, the edge-emitting semiconductor laser (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) with an active zone (22) for radiation generation. An electrical contact strip (3) is located on a surface (20) of the semiconductor layer sequence (2). The contact strip (3) is only attached to the surface (20) in an electrical contact region (30), or is only in electrical contact with the surface (20) in the contact region (30). The active zone (22) is only supplied with power in places. The contact strip (3) comprises multiple metal layers (31-35) that are arranged stacked on top of one another. At least one of the metal layers (31-35) is provided with a structuring (4), such that this metal layer only partially covers the contact region (30) and has at least one opening (41) and/or interruption (42). Via the structuring (4), stresses of the semiconductor layer sequence (2) and/or of the contact strip (3) are reduced on the basis of different temperature expansion coefficients of the metal layers (31-35) and/or the semiconductor layer sequence (2).
(FR)Selon un mode de réalisation, l’invention concerne un laser à semi-conducteur (1) à émission par la tranche, qui comprend une succession de couches semi-conductrices (2) pourvue d’une zone active (22) destinée à générer un rayonnement. Une bande de contact électrique (3) est située sur un côté supérieur (20) de la succession de couches semi-conductrices (2). La bande de contact (3) est appliquée sur le côté supérieur (20) uniquement dans une zone de contact électrique (30) ou est en contact électrique avec le côté supérieur (20) uniquement dans la zone de contact (30). La zone active (22) n’est alimentée en courant que par endroits. La bande de contact (3) comprend une pluralité de couches métalliques (31-35) qui sont empilées les unes au-dessus des autres. Au moins une des couches métalliques (31-35) est pourvue d’une structuration (4) de sorte que cette couche métallique ne couvre que partiellement la zone de contact (30) et comporte au moins une ouverture (41) et/ou une discontinuité (42). La structuration (4) permet de réduire des contraintes de la succession de couches semi-conductrices (2) et/ou de la bande de contact (3) qui sont dues à différents coefficients de dilatation de température des couches métalliques (31-35) et/ou de la succession de couches semi-conductrices (2).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)