Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2017174782) HALBLEITERLASER

Pub. No.:    WO/2017/174782    International Application No.:    PCT/EP2017/058378
Publication Date: Fri Oct 13 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Apr 08 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01S 5/20
H01S 5/22
H01S 5/10
H01S 5/02
H01S 5/042
H01S 5/343
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: VIERHEILIG, Clemens
LELL, Alfred
GERHARD, Sven
LOEFFLER, Andreas
Title: HALBLEITERLASER
Abstract:
Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit einer Schichtstruktur mit einer aktiven Zone, wobei die aktive Zone ausgebildet ist, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei die Schichtstruktur eine Abfolge von Schichten aufweist, wobei in einer Z-Richtung zwei gegenüber liegende Endflächen vorgesehen sind, wobei wenigstens eine Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise auszukoppeln, und wobei die zweite Endfläche ausgebildet ist, um die elektromagnetische Strahlung wenigstens teilweise zu reflektieren, wobei Führungsmittel zum Ausbilden einer optischen Mode in einem Modenraum zwischen den Endflächen vorgesehen sind, wobei Mittel außerhalb des Modenraumes vorgesehen sind, die eine Ausbildung einer optischen Mode außerhalb des Modenraumes, insbesondere Moden mit einer Ausbreitungsrichtung, die nicht senkrecht zu den Endflächen (14, 15) verlaufen, erschweren.