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1. (WO2017169314) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2017/169314 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/006448
Veröffentlichungsdatum: 05.10.2017 Internationales Anmeldedatum: 22.02.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
Anmelder:
ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南1丁目7番1号 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
Erfinder:
澁田 宏和 SHIBUTA Hirokazu; JP
Vertreter:
渡邊 薫 WATANABE Kaoru; JP
Prioritätsdaten:
2016-07344531.03.2016JP
Titel (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE EN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子、及び電子装置
Zusammenfassung:
(EN) To provide a backside-illuminated solid-state imaging element which is capable of improving image quality. Provided is a backside-illuminated solid-state imaging element which is provided at least with a semiconductor substrate, an organic photoelectric conversion film that is formed above one of the front and back surfaces of the semiconductor substrate, and an optical waveguide that is formed between the semiconductor substrate and the organic photoelectric conversion film.
(FR) L'invention vise à produire un élément d'imagerie en semiconducteur éclairé par l'arrière qui est capable d'améliorer la qualité d'image. L'invention concerne un élément d'imagerie en semiconducteur éclairé par l'arrière qui comprend au moins un substrat en semiconducteur, un film de conversion photoélectrique organique qui est formé au-dessus de l'une des surfaces avant et arrière du substrat en semiconducteur, et un guide d'ondes optique qui est formé entre le substrat en semiconducteur et le film de conversion photoélectrique organique.
(JA) 画質を向上させることができる裏面照射型の固体撮像素子を提供すること。 半導体基板と、該半導体基板の表裏面のうちの一方の面側に形成されている有機光電変換膜と、該半導体基板と該有機光電変換膜との間に形成されている光導波路と、を少なくとも備える、裏面照射型の固体撮像素子を提供する。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)