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1. (WO2017167867) SILIZIUMWAFER, VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN EINES SILIZIUMWAFERS UND SOLARZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2017/167867    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2017/057524
Veröffentlichungsdatum: 05.10.2017 Internationales Anmeldedatum: 30.03.2017
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01), H01L 31/036 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Anmelder: TECHNISCHE UNIVERSITÄT BERGAKADEMIE FREIBERG [DE/DE]; Akademiestrasse 6 09599 Freiberg (DE)
Erfinder: STAPF, André; (DE).
GONDEK, Christoph; (DE).
HONEIT, Florian; (DE).
KROKE, Edwin; (DE)
Vertreter: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB; Am Brauhaus 8 01099 Dresden (DE)
Prioritätsdaten:
10 2016 105 866.1 31.03.2016 DE
Titel (DE) SILIZIUMWAFER, VERFAHREN ZUM STRUKTURIEREN EINES SILIZIUMWAFERS UND SOLARZELLE
(EN) SILICON WAFER, METHOD FOR STRUCTURING A SILICON WAFER AND SOLAR CELL
(FR) PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE STRUCTURATION D’UNE PLAQUETTE DE SILICIUM ET CELLULE SOLAIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Gemäß verschiedenen Ausführungsformen wird ein Siliziumwafer (202) bereitgestellt, welcher eine { 100 } -orientierte Oberfläche (202a) aufweist, wobei die Oberfläche (202a) eine Oberflächenstruktur (204) aus einer Vielzahl von zufällig verteilten Vertiefungen aufweist, wobei die Vertiefungen polyederförmig sind.
(EN)According to various embodiments, a silicon wafer (202) is provided, which has a 100-oriented surface (202a), wherein the surface (202a) has a surface structure (204) of a plurality of randomly distributed recesses, said recesses having a polyhedral shape.
(FR)Selon divers modes de réalisation, l’invention concerne une plaquette de silicium (202) qui présente une surface (202a) orientée { 100 }, laquelle surface (202a) présente une structure superficielle (204) constituée d’une pluralité de cavités réparties aléatoirement, ces cavités étant de forme polyédrique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)