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1. (WO2017148608) VERFAHREN ZUR CHARAKTERISIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
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Veröff.-Nr.: WO/2017/148608 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2017/050945
Veröffentlichungsdatum: 08.09.2017 Internationales Anmeldedatum: 18.01.2017
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 21.12.2017
IPC:
C30B 25/16 (2006.01) ,C30B 29/40 (2006.01) ,C30B 29/46 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
25
Erzeugen von Einkristallen durch chemische Reaktion von Gasen, z.B. Dampfphasen-Epitaxie mit chemischer Reaktion
02
Epitaktisches Schichtenwachstum
16
Steuern oder Regeln
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29
Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
10
Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen
40
AIIIBV-Verbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
30
Züchten von Kristallen
B
Züchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29
Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
10
Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen
46
Schwefel, Selen oder Tellur enthaltende Verbindungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
Anmelder:
NASP III/V GMBH [DE/DE]; Am Knechtacker 19 35041 Marburg, DE
Erfinder:
VOLK, Michael; DE
Vertreter:
RICHARDT PATENTANWÄLTE PARTG MBB; Wilhelmstraße 7 65185 Wiesbaden, DE
Prioritätsdaten:
10 2016 203 298.401.03.2016DE
Titel (EN) METHOD FOR CHARACTERIZING SEMICONDUCTOR MATERIALS
(FR) PROCÉDÉ DE CARACTÉRISATION DE MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS
(DE) VERFAHREN ZUR CHARAKTERISIERUNG VON HALBLEITERMATERIALIEN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for characterizing semiconductor materials during the growing of a desired mixed crystal (101) of a compound semiconductor on a substrate (100) with a predefined growth rate, the method including the determining of the material composition of the desired mixed crystal (101) by measuring the change in the curvature of the substrate over time during growing, wherein the proportion of the components in the desired mixed crystal (101) is determined from the change in curvature over time.
(FR) L'invention concerne un procédé de caractérisation de matériaux semiconducteurs durant la croissance d'un cristal mixte (101) souhaité d'un semiconducteur composé sur un substrat (100) avec un taux de croissance prédéfini, ledit procédé comprenant une détermination de la composition du cristal mixte (101) souhaité par la mesure de la variation dans le temps de la courbure du substrat durant la croissance, la proportion des constituants dans le cristal mixte (101) souhaité étant déterminée à partir de la variation dans le temps de ladite courbure.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung von Halbleitermaterialien während dem Aufwachsen eines gewünschten Mischkristalls (101) eines Verbindungshalbleiters auf ein Substrat (100) mit einer vorgegebenen Wachstumsrate, wobei das Verfahren eine Bestimmung der Materialzusammensetzung des gewünschten Mischkristalls (101) durch Messen der zeitlichen Änderung der Krümmung des Substrats während dem Aufwachsen umfasst, wobei aus der zeitlichen Änderung der Krümmung der Anteil der Komponenten im gewünschten Mischkristall (101) bestimmt wird.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)