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1. (WO2017142663) DUAL DEMARCATION VOLTAGE SENSING BEFORE WRITES
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Veröff.-Nr.: WO/2017/142663 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/013798
Veröffentlichungsdatum: 24.08.2017 Internationales Anmeldedatum: 17.01.2017
IPC:
G11C 13/00 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
13
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C11/ , G11C23/ oder G11C25/215
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
CHU, Daniel; US
PANGAL, Kiran; US
TAUB, Mase; US
GULIANI, Sandeep; US
ZENG, Raymond; US
Vertreter:
OSBORNE, David W.; US
Prioritätsdaten:
15/046,33917.02.2016US
Titel (EN) DUAL DEMARCATION VOLTAGE SENSING BEFORE WRITES
(FR) DÉTECTION DE TENSION DE DOUBLE DÉMARCATION AVANT ÉCRITURES
Zusammenfassung:
(EN) Nonvolatile memory (e.g. phase change memory) devices, systems, and methods that minimize energy expenditure and wear while providing greatly improved error rate with respect to marginal bits are disclosed and described.
(FR) L'invention concerne des dispositifs à mémoire non volatile (par exemple une mémoire à changement de phase), des systèmes et des procédés qui réduisent au minimum la dépense d'énergie et l'usure tout en assurant un taux d'erreur considérablement amélioré par rapport aux bits marginaux.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)