Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2017142636) ALTERNATING ANTI-PARALLEL DIODE MIXER STRUCTURE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2017/142636 Internationale Anmeldenummer PCT/US2017/012095
Veröffentlichungsdatum: 24.08.2017 Internationales Anmeldedatum: 04.01.2017
IPC:
H03D 7/02 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
D
Demodulation oder Übertragung einer Modulation von einem Träger auf einen anderen
7
Übertragung einer Modulation von einem Träger auf einen anderen, z.B. Frequenzumsetzung
02
mittels Dioden
Anmelder:
MACOM TECHNOLOGY SOLUTIONS HOLDINGS, INC. [US/US]; 100 Chelmsford Street Lowell, MA 01851, US
Erfinder:
CONVERT, Emmanuelle; AU
MAHON, Simon; AU
HARVEY, James; AU
Vertreter:
PERILLA, Jason, M.; US
Prioritätsdaten:
15/044,40716.02.2016US
Titel (EN) ALTERNATING ANTI-PARALLEL DIODE MIXER STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE MÉLANGEUR À DIODES ANTIPARALLÈLES ALTERNÉES
Zusammenfassung:
(EN) An apparatus includes a first circuit and a second circuit. The first circuit may be in a substrate and generally includes a first diode and a second diode (i) connected as anti-parallel diodes and (ii) physically adjacent to each other in the substrate. The second circuit may be in the substrate and generally includes a third diode and a fourth diode (i) connected as anti-parallel diodes and (ii) physically adjacent to each other in the substrate. The first circuit and the second circuit may be (a) connected in parallel, (b) physically adjacent to each other in the substrate and (c) configured to mix two input signals to generate an output signal. Each neighboring physical structure in the first circuit and the second circuit that forms a diode junction may be physically oriented in an opposite direction along a surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne un appareil qui comprend un premier circuit et un second circuit. Le premier circuit peut être dans un substrat et comprend généralement une première diode et une deuxième diode (i) connectées comme des diodes antiparallèles et (ii) physiquement adjacentes l'une à l'autre dans le substrat. Le second circuit peut être dans le substrat et comprend généralement une troisième diode et une quatrième diode (i) connectées comme des diodes antiparallèles et (ii) physiquement adjacentes l'une à l'autre dans le substrat. Le premier circuit et le second circuit peuvent être (a) connectés en parallèle, (b) physiquement adjacents l'un à l'autre dans le substrat, et (c) configurés pour mélanger deux signaux d'entrée afin de générer un signal de sortie. Les structures physiquement voisines dans le premier circuit et le second circuit qui forment une jonction de diodes peuvent être physiquement orientées dans des sens contraires le long d'une surface du substrat.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)