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1. (WO2017142185) ANALOG INFORMATION-BASED EMULATION METHOD FOR VERIFYING RELIABILITY OF FLASH MEMORY AND APPARATUS THEREFOR
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Veröff.-Nr.: WO/2017/142185 Internationale Anmeldenummer PCT/KR2016/015240
Veröffentlichungsdatum: 24.08.2017 Internationales Anmeldedatum: 23.12.2016
IPC:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G06F 11/10 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
10
Programmier- oder Dateneingabeschaltungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
34
Ermitteln des Programmierzustands, z.B. Schwellenspannung, Über- oder Unterprogrammierung, Datenhaltung
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
F
Elektrische digitale Datenverarbeitung
11
Fehlererkennung; Fehlerkorrektur; Überwachung
07
Reaktion auf das Auftreten eines Fehlers, z.B. Fehlertoleranz
08
Fehlererkennung oder Fehlerkorrektur durch redundante Datendarstellung, z.B. durch Verwendung von Kontrollcode
10
durch Hinzufügen binärer Signale oder Symbole zu der codierten Information, z.B. Paritätskontrolle, Neuner- oder Elferprobe
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
F
Elektrische digitale Datenverarbeitung
12
Zugriff, Adressierung oder Zuordnung innerhalb des Speichersystems oder der Speicherarchitektur
02
Adressierung oder Zuordnung; Versetzung
Anmelder:
단국대학교 산학협력단 INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION, DANKOOK UNIVERSITY [KR/KR]; 경기도 용인시 수지구 죽전로 152 (죽전동, 단국대학교) (Jukjeon-dong, Dankook University)152, Jukjeon-ro, Suji-gu Yongin-si Gyeonggi-do 16890, KR
Erfinder:
서동화 SUH, Donghwa; KR
김세욱 KIM, Sewoog; KR
최종무 CHOI, Jongmoo; KR
Vertreter:
오위환 OH, Wihwan; KR
Prioritätsdaten:
10-2016-001781816.02.2016KR
Titel (EN) ANALOG INFORMATION-BASED EMULATION METHOD FOR VERIFYING RELIABILITY OF FLASH MEMORY AND APPARATUS THEREFOR
(FR) PROCÉDÉ D'ÉMULATION BASÉ SUR DES INFORMATIONS ANALOGIQUES ET PERMETTANT DE VÉRIFIER LA FIABILITÉ D'UNE MÉMOIRE FLASH, ET APPAREIL ASSOCIÉ
(KO) 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 방법 및 그 장치
Zusammenfassung:
(EN) The purpose of the present invention is to provide an analog information-based emulation method for verifying the reliability of a flash memory and an apparatus therefor, which can apply a method of storing analog information in an actual flash memory cell to emulation software without any change to the method, so as to quickly inspect physical problems of the flash memory, the method comprising the steps of: (A) when bit data comprising zeros or ones is written in a flash memory through an emulator, recording the quantity of charge corresponding to the bit data in each cell; (B) when data is read from the flash memory, dividing the quantity of charge recorded in each cell into threshold voltages that are classified using different voltage distributions; and (C) comparing the quantity of charge inserted into each cell with predetermined ranges classified according to the threshold voltages so as to detect a threshold voltage range matching the quantity of charge stored in each cell, and determining the quantity of charge as a bit corresponding to the detected threshold voltage range.
(FR) La présente invention vise à pourvoir à un procédé d'émulation basé sur des informations analogiques et permettant de vérifier la fiabilité d'une mémoire flash ainsi qu'à un appareil associé, qui peut appliquer un procédé de mémorisation d'informations analogiques dans une cellule de mémoire flash réelle à un logiciel d'émulation sans aucune modification du procédé, de manière à inspecter rapidement les problèmes physiques de la mémoire flash, le procédé comprenant les étapes qui consistent : (A) lorsque des données binaires incluant des zéros ou des uns sont écrites dans une mémoire flash par le biais d'un émulateur, à enregistrer la quantité de charge correspondant auxdites données binaires dans chaque cellule; (B) quand des données sont lues dans la mémoire flash, à diviser la quantité de charge enregistrée dans chaque cellule en tensions de seuil qui sont classées au moyen de différentes distributions de tension; et (C) à comparer la quantité de charge introduite dans chaque cellule avec des plages prédéfinies classées selon les tensions de seuil de façon à détecter une plage de tensions de seuil correspondant à la quantité de charge mémorisée dans chaque cellule, et à déterminer la quantité de charge sous la forme d'un bit correspondant à la plage de tensions de seuil détectée.
(KO) 본 발명은 실제 플래시 메모리 셀에 아날로그 정보를 저장하는 방법을 에뮬레이션 소프트웨어에 그대로 적용하여 물리적인 문제점을 빠르게 검증할 수 있는 플래시 메모리의 신뢰성 검증을 위한 아날로그 정보 기반 에뮬레이션 방법 및 그 장치를 제공하기 위한 것으로서, (A) 에뮬레이터를 통해 플래시 메모리에 0 또는 1로 이루어지는 비트 데이터가 기록될 때, 각 셀의 비트 데이터에 대응되는 전하량이 기록되는 단계와, (B) 플래시 메모리의 데이터를 읽을 때, 각 셀에 기록된 전하량을 서로 다른 전압(voltage) 분포를 가지고 분류된 임계 전압(threshold voltage)으로 각각 분류하는 단계와, (C) 각 셀에 삽입된 전하량을 상기 설정된 임계 전압으로 분류된 범위와 비교하여 각 셀에 저장된 전하량과 매칭되는 임계 전압의 범위를 검출하여 대응되는 비트로 판별하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Koreanisch (KO)
Anmeldesprache: Koreanisch (KO)