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1. (WO2017138951) MEMORY DEVICES WITH VOLATILE AND NON-VOLATILE BEHAVIOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/138951 Internationale Anmeldenummer PCT/US2016/017693
Veröffentlichungsdatum: 17.08.2017 Internationales Anmeldedatum: 12.02.2016
IPC:
G11C 11/54 (2006.01) ,G11C 15/00 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
54
mit Elementen zur Simulierung von biologischen Zellen, z.B. Neuronen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
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Digitale Speicher, in denen eine mit einem oder mehreren charakteristischen Teilen versehene Information eingeschrieben und dadurch ausgelesen wird, dass der oder die charakteristischen Teile aufgesucht werden, d.h. assoziative oder inhaltsadressierte Speicher
Anmelder:
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070, US
Erfinder:
LI, Zhiyong; US
ZHANG, Lu; US
ZHANG, Minxian; US
Vertreter:
WARD, Aaron S.; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) MEMORY DEVICES WITH VOLATILE AND NON-VOLATILE BEHAVIOR
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE AYANT UN COMPORTEMENT VOLATILE ET NON VOLATILE
Zusammenfassung:
(EN) An example device in accordance with an aspect of the present disclosure includes an active oxide layer to form and dissipate a conductive bridge. The conductive bridge is to dissipate spontaneously within a relaxation time to enable the memory device to self-refresh according to volatile behavior in response to the input voltage being below a threshold corresponding to disregarding sneak current and noise of a crossbar array in which the memory device is to operate. The conductive bridge is to persist beyond the relaxation time to enable the memory device to retain programming for neuromorphic computing training according to non-volatile behavior of the memory device in response to the input voltage not being below the threshold.
(FR) Selon un aspect, la présente invention concerne un dispositif donné à titre d'exemple comprenant une couche d'oxyde actif pour former et dissiper un pont conducteur. Le pont conducteur doit se dissiper spontanément dans un temps de relaxation pour permettre au dispositif de mémoire de se régénérer automatiquement en fonction du comportement volatile en réponse à la tension électrique d'entrée étant inférieure à un seuil correspondant sans tenir compte du courant de fuite et le bruit d'un réseau crossbar dans lequel le dispositif de mémoire doit fonctionner. Le pont conducteur doit perdurer au-delà du temps de relaxation pour permettre au dispositif de mémoire de retenir la programmation d'apprentissage informatique neuromorphique selon le comportement non volatile du dispositif de mémoire en réponse à la tension électrique d'entrée n'étant pas inférieure au seuil.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)