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1. WO2017133930 - VERFAHREN ZUM ERMITTELN UND REGELN EINES DURCHMESSERS EINES EINKRISTALLS BEIM ZIEHEN DES EINKRISTALLS

Veröffentlichungsnummer WO/2017/133930
Veröffentlichungsdatum 10.08.2017
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2017/051446
Internationales Anmeldedatum 24.01.2017
IPC
C30B 15/20 2006.01
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
15Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren
20Steuern oder Regeln
C30B 15/30 2006.01
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
15Erzeugen von Einkristallen durch Ziehen aus einer Schmelze, z.B. Czochralsky-Verfahren
30Vorrichtungen zum Rotieren oder Bewegen der Schmelze oder des Kristalls
C30B 29/06 2006.01
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
02Elemente
06Silicium
CPC
C30B 15/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
C30B 15/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
20Controlling or regulating
22Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
C30B 15/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Anmelder
  • SILTRONIC AG [DE]/[DE]
Erfinder
  • SCHRÖCK, Thomas
  • AUBRUNNER, Thomas
Vertreter
  • STAUDACHER, Wolfgang
  • KILLINGER, Andreas
Prioritätsdaten
10 2016 201 778.005.02.2016DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM ERMITTELN UND REGELN EINES DURCHMESSERS EINES EINKRISTALLS BEIM ZIEHEN DES EINKRISTALLS
(EN) METHOD FOR DETERMINING AND REGULATING A DIAMETER OF A SINGLE CRYSTAL DURING PULLING OF THE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉS DE DÉTERMINATION ET DE RÉGULATION D’UN DIAMÈTRE D’UN MONOCRISTAL LORS DU TIRAGE DU MONOCRISTAL
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft Verfahren zum Ermitteln eines Durchmessers (dk) eines Einkristalls (200) beim Ziehen des Einkristalls (200), insbesondere eines Endkonus (210) des Einkristalls (200), aus einer Schmelze (230) in einem Tiegel (130) einer Vorrichtung (100) zum Ziehen des Einkristalls (200), wobei unter Berücksichtigung einer ersten Absinkgeschwindigkeit (vs) einer Oberfläche (235) der Schmelze (230) relativ zu dem Tiegel (130), einer ersten Hubgeschwindigkeit (vk), mit welcher der Einkristall (200) relativ zu dem Tiegel (130) angehoben wird, und einer Massenerhaltung der Durchmesser (dk) des Einkristalls (200) an einer Grenzfläche zur Schmelze (230) ermittelt wird.
(EN)
The invention relates to a method for determining a diameter (dk) of a single crystal (200) during the pulling of the single crystal (200), in particular an end-cone (210) of the single crystal (200), from a melt (230) in a crucible (130) of a device (100) for pulling the single crystal (200), wherein the diameter (dk) of the single crystal (200) is determined at a boundary surface to the melt (230), taking into account a first lowering speed (vs) of a surface (235) of the melt (230) relative to the crucible (130), a first lifting speed (vk) with which the single crystal (200) is raised relative to the crucible (130), and a conservation of mass.
(FR)
L’invention concerne des procédés de détermination d’un diamètre (dk) d’un monocristal (200) lors du tirage du monocristal (200), notamment d’un cône terminal (210) du monocristal (200) à partir d’une matière fondue (230) dans un creuset (130) d’un dispositif (100) pour le tirage du monocristal (200). Le diamètre (dk) du monocristal (200) est déterminé au niveau d’une interface avec la matière fondue (230) avec prise en compte d’une première vitesse d’abaissement (vs) d’une surface (235) de la matière fondue (230) par rapport au creuset (130), d’une première vitesse de levée (vk) avec laquelle le monocristal (200) est levé par rapport au creuset (130) et d’une conservation de masse.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten