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1. (WO2017111820) REDUCED HEIGHT LINER FOR INTERCONNECTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2017/111820 Internationale Anmeldenummer PCT/US2015/000378
Veröffentlichungsdatum: 29.06.2017 Internationales Anmeldedatum: 26.12.2015
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
71
Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
768
Anbringen von Verbindungsleitungen, die zur Stromführung zwischen einzelnen Schaltungselementen innerhalb eines Bauelements dienen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
50
Zusammenbau von Halbleiterbauelementen unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in einer der Untergruppen H01L21/06-H01L21/326180
60
Anbringen von Anschlussleitungen oder anderen leitenden Teilen, die zur Stromleitung zu oder von einem in Betrieb befindlichen Bauelement dienen
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
Erfinder:
CHOWDHURY, Akm Shaestagir; US
GRIGGIO, Flavio; US
Vertreter:
RICHARDS, II, E.E. "Jack"; US
Prioritätsdaten:
Titel (EN) REDUCED HEIGHT LINER FOR INTERCONNECTS
(FR) REVÊTEMENT À HAUTEUR RÉDUITE POUR DES INTERCONNEXIONS
Zusammenfassung:
(EN) An embodiment includes a metal interconnect structure, comprising: a dielectric layer on a substrate; an opening, in the dielectric layer, (a) having sidewalls and an aspect ratio of at least 5:1 (height: width), and (b) exposing a conductive region of at least one of the substrate and an additional interconnect structure; a conformal thin film layer on the sidewalls; and a polycrystalline metal within the opening and on the thin film layer; wherein the thin film layer forms an adhesive liner that extends only partially up the sidewalls leaving upper portions of the sidewalls uncovered by the liner. Other embodiments are described herein.
(FR) La présente invention concerne, dans un mode de réalisation, une structure d'interconnexion métallique, comprenant : une couche diélectrique sur un substrat ; une ouverture, dans la couche diélectrique, (a) ayant des parois latérales et un rapport d'aspect d'au moins 5:1 (hauteur:largeur), et (b) exposant une région conductrice d'au moins l'un du substrat et d'une structure d'interconnexion supplémentaire ; une couche de film mince conforme sur les parois latérales ; et un métal polycristallin dans l'ouverture et sur la couche de film mince ; la couche de film mince formant un revêtement adhésif qui s'étend seulement partiellement vers le haut des parois latérales, laissant des parties supérieures des parois latérales découvertes par le revêtement. L'invention porte également sur d'autres modes de réalisation.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)