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1. WO2017097758 - KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS

Veröffentlichungsnummer WO/2017/097758
Veröffentlichungsdatum 15.06.2017
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2016/079879
Internationales Anmeldedatum 06.12.2016
IPC
C04B 37/02 2006.1
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
04Zemente; Beton; Kunststein; keramische Massen; feuerfeste Massen
BKalk; Magnesia; Schlacke; Zemente; Massen hieraus z.B. Mörtel, Beton oder ähnliche Baumaterialien; künstliche Steine; keramische Massen; feuerfeste Massen; Behandlung von Naturstein
37Verbinden gebrannter keramischer Gegenstände mit anderen gebrannten keramischen Gegenständen oder sonstigen Gegenständen durch Erhitzen
02mit metallischen Gegenständen
B32B 7/02 2006.1
BSektion B Arbeitsverfahren; Transportieren
32Schichtkörper
BSchichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zellförmiger oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
7Schichtkörper, gekennzeichnet durch die Relation zwischen Schichten; Schichtkörper, gekennzeichnet durch die relative Orientierung von Merkmalen zwischen Schichten, oder durch die relativen Werte von messbaren Parametern zwischen Schichten, d.h. Erzeugnisse, die Schichten mit verschiedenen physikalischen, chemischen oder physikochemischen Eigenschaften umfassen; Schichtkörper, gekennzeichnet durch die gegenseitige Verbindung von Schichten
02Physikalische, chemische oder physikochemische Eigenschaften
B32B 9/00 2006.1
BSektion B Arbeitsverfahren; Transportieren
32Schichtkörper
BSchichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zellförmiger oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
9Schichtkörper, die als wichtigen Bestandteil einen Werkstoff enthalten, der nicht von den Gruppen B32B11/-B32B29/149
B32B 9/04 2006.1
BSektion B Arbeitsverfahren; Transportieren
32Schichtkörper
BSchichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zellförmiger oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
9Schichtkörper, die als wichtigen Bestandteil einen Werkstoff enthalten, der nicht von den Gruppen B32B11/-B32B29/149
04enthaltend einen solchen Werkstoff als hauptsächlichen oder einzigen Bestandteil einer Schicht, die an eine andere Schicht aus besonderem Werkstoff angrenzt
B32B 15/01 2006.1
BSektion B Arbeitsverfahren; Transportieren
32Schichtkörper
BSchichtkörper, d.h. aus Ebenen oder gewölbten Schichten, z.B. mit zellförmiger oder wabenförmiger Form, aufgebaute Erzeugnisse
15Schichtkörper, die als wichtigen Bestandteil Metall enthalten
01alle Schichten sind ausschließlich aus Metall
CPC
B23K 2103/172
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
2103Materials to be soldered, welded or cut
16Composite materials ; , e.g. fibre reinforced
166Multilayered materials
172wherein at least one of the layers is non-metallic
B23K 35/302
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
35Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
22characterised by the composition or nature of the material
24Selection of soldering or welding materials proper
30with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
302Cu as the principal constituent
B32B 15/01
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
15Layered products comprising ; a layer of; metal
01all layers being exclusively metallic
B32B 15/043
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
15Layered products comprising ; a layer of; metal
04comprising metal as the main or only constituent of a layer, ; which is; next to another layer of ; the same or of; a ; different material
043of metal
B32B 2250/05
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2250Layers arrangement
055 or more layers
B32B 2250/40
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
2250Layers arrangement
40Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
Anmelder
  • AURUBIS STOLBERG GMBH & CO. KG [DE]/[DE]
Erfinder
  • ZEIGER, Karl
  • CAPPI, Benjamin
  • LEHMANN, Helge
  • KOCH, Robert
Vertreter
  • MÜLLER VERWEYEN PATENTANWÄLTE
Prioritätsdaten
10 2015 224 464.407.12.2015DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) KUPFER-KERAMIK-SUBSTRAT, KUPFERHALBZEUG ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES KUPFER-KERAMIK-SUBSTRATS
(EN) COPPER-CERAMIC SUBSTRATE, COPPER PRECURSOR FOR PRODUCING A COPPER-CERAMIC SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING A COPPER-CERAMIC SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE, PRODUIT SEMI-FINI EN CUIVRE POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN SUBSTRAT EN CUIVRE-CÉRAMIQUE
Zusammenfassung
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kupfer-Keramik-Substrat (1) mit -einem Keramikträger (2), und -einer mit einer Oberfläche des Keramikträgers (2) verbundenen Kupferschicht (3,4), wobei -die Kupferschicht (3,4) mindestens eine erste, dem Keramikträger zugewandte Schicht (5,6) mit einer gemittelten ersten Korngröße und eine an der von dem Keramikträger (2) abgewandten Seite der Kupferschicht (3,4) angeordnete zweite Schicht (7,8) mit einer gemittelten zweiten Korngröße aufweist, wobei -die zweite Korngröße kleiner als die erste Korngröße ist. die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 100 μ m, bevorzugt ca. 250 bis 1000 μ m, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 100 pm, bevorzugt ca. 50 µm, aufweist, oder -die erste Schicht (5,6) im Mittel eine Korngröße von größer als 150 pm, bevorzugt ca. 250 bis 2000 µm, und -die zweite Schicht (7,8) im Mittel eine Korngröße von kleiner als 150 μ m, bevorzugt ca. 50 pm, aufweist. Vozugsweise werden Cu-ETP und Cu-OF oder Cu-OFE verwendet.
(EN) The present invention relates to a copper-ceramic substrate (1) comprising - a ceramic support (2) and - a copper layer (3, 4) joined to a surface of the ceramic support (2), where - the copper layer (3, 4) has at least one first layer (5, 6) which faces the ceramic support and has an averaged first particle size, and a second layer (7, 8) disposed on the side of the copper layer (3, 4) that faces away from the ceramic support (2), and having an averaged second particle size, where - the second particle size is smaller than the first particle size. The first layer (5, 6) has on average a particle size of greater than 100 μm, preferably about 250 to 1000 μm, and - the second layer (7, 8) has on average a particle size of less than 100 μm, preferably about 50 μm, or - the first layer (5, 6) has on average a particle size of greater than 150 pm, preferably about 250 to 2000 μm, and the - second layer (7, 8) has on average a particle size of less than 150 pm, preferably about 50 pm. Preference is given to using Cu-ETP and Cu-OF or Cu-OFE.
(FR) La présente invention concerne un substrat (1) en cuivre-céramique, présentant - un support (2) en céramique et - une couche de cuivre (3,4) reliée à une surface du support (2) en céramique, – la couche de cuivre (3,4) présentant au moins une première couche (5,6) orientée vers le support en céramique, présentant une première grosseur moyenne de particule, et une deuxième couche (7,8) disposée sur le côté opposé au support (2) en céramique de la couche de cuivre (3,4), présentant une deuxième grosseur moyenne de particule, – la deuxième grosseur de particule étant inférieure à la première grosseur de particule. La première couche (5,6) présente en moyenne une grosseur de particule supérieure à 100 µm, de préférence d'environ 250 à 1000 µm et la deuxième couche (7,8) présente en moyenne une grosseur de particule inférieure à 100 µm, de préférence d'environ 50 µm ; ou la première couche (5,6) présente en moyenne une grosseur de particule supérieure à 150 µm, de préférence d'environ 250 à 2000 µm et la deuxième couche (7,8) présente en moyenne une grosseur de particule inférieure à 150 µm, de préférence d'environ 50 µm. On utilise de préférence du Cu-ETP et du Cu-OF ou du Cu-OFE.
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