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1. WO2017076682 - VERFAHREN ZUM BONDEN UND LÖSEN VON SUBSTRATEN

Veröffentlichungsnummer WO/2017/076682
Veröffentlichungsdatum 11.05.2017
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2016/075571
Internationales Anmeldedatum 24.10.2016
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 30.08.2017
IPC
H01L 21/683 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683zum Aufnehmen oder Greifen
CPC
B32B 38/10
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
38Ancillary operations in connection with laminating processes
10Removing layers, or parts of layers, mechanically or chemically
B32B 43/006
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
32LAYERED PRODUCTS
BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
43Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
006Delaminating
H01L 21/185
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
185Joining of semiconductor bodies for junction formation
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
H01L 21/67092
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67092Apparatus for mechanical treatment
H01L 21/67098
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67098Apparatus for thermal treatment
Anmelder
  • EV GROUP E. THALLNER GMBH [AT]/[AT]
Erfinder
  • BURGGRAF, Jürgen
  • WIESBAUER, Harald
Vertreter
  • SCHNEIDER, Sascha
  • SCHWEIGER, Johannes
  • DR. BECKER, Thomas, U.
  • DR. MÜLLER, Karl-Ernst
  • BERKENBRINK, Kai
  • FEUCKER, Max
Prioritätsdaten
10 2015 118 742.602.11.2015DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM BONDEN UND LÖSEN VON SUBSTRATEN
(EN) METHOD FOR BONDING AND RELEASING SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON ET DE DÉTACHEMENT DE SUBSTRATS
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden eines Produktsubstrats (2) mit einer Verbindungsschicht (4) an einem Trägersubstrat (5), sowie ein Verfahren zum Lösen des Produktsubstrats vom dem Trägersubstrats, wobei zwischen der Verbindungsschicht (4) und dem Produktsubstrat (2) eine Löseschicht (3) aufgebracht wird, und wobei • a) die Löseschicht (3) durch Wechselwirkung mit einer elektromagnetischen Strahlung einer Strahlungsquelle lösbar ist, und • b) die Verbindungsschicht (4) und das Trägersubstrat (5) jeweils zumindest überwiegend für die elektromagnetische Strahlung transparent sind. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung einen korrespondierenden Produktsubstrat-Trägersubstrat-Verbund.
(EN)
The invention relates to a method for bonding a product substrate (2) with a connection layer (4) to a support substrate (5) and to a method for releasing the product substrate from the support substrate. A release layer (3) is applied between the connection layer (4) and the product substrate (2), wherein • a) the release layer (3) can be released by interacting with an electromagnetic radiation of a radiation source, and • b) the connection layer (4) and the support substrate (5) is each at least largely transparent to the electromagnetic radiation. The invention further relates to a corresponding product substrate/support substrate composite.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour lier un substrat de produit (2) à une couche de liaison (4) sur un substrat porteur (5), ainsi qu'un procédé pour détacher le substrat de produit du substrat porteur. Une couche de détachement (3) est appliquée entre la couche de liaison (4) et le substrat de produit (2), et • a) la couche de détachement (3) peut être détachée par interaction avec un rayonnement électromagnétique d'une source de rayonnement, et • b) la couche de liaison (4) et le substrat porteur (5) sont respectivement au moins majoritairement transparents pour le rayonnement électromagnétique. La présente invention concerne en outre une liaison substrat de produit - substrat porteur correspondante.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten