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1. (WO2017036729) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/036729 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/068658
Veröffentlichungsdatum: 09.03.2017 Internationales Anmeldedatum: 04.08.2016
IPC:
G02B 5/18 (2006.01) ,B82Y 10/00 (2011.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
G Physik
02
Optik
B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
5
Optische Elemente außer Linsen
18
Beugungsgitter
B Arbeitsverfahren; Transportieren
82
Nanotechnik
Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen; Messung oder Analyse von Nanostrukturen; Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
10
Nanotechnologie für die Datenverarbeitung, Datenspeicherung oder Datenversendung, z.B. Quantencomputertechnik oder Einzelelektronen-Logik [single electron logic]
B Arbeitsverfahren; Transportieren
82
Nanotechnik
Y
Bestimmter Gebrauch oder bestimmte Anwendung von Nanostrukturen; Messung oder Analyse von Nanostrukturen; Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
40
Herstellung oder Behandlung von Nanostrukturen
Anmelder:
PAUL SCHERRER INSTITUT [CH/CH]; 5232 Villigen, CH
Erfinder:
JEFIMOVS, Konstantins; CH
KAGIAS, Matias; CH
ROMANO, Lucia; IT
STAMPANONI, Marco; CH
Vertreter:
FISCHER, Michael; DE
Prioritätsdaten:
15183242.501.09.2015EP
Titel (EN) METHOD FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO GRATINGS FOR PHASE CONTRAST IMAGING
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE RÉSEAUX À RAPPORT D'ASPECT ÉLEVÉ POUR IMAGERIE À CONTRASTE DE PHASE
Zusammenfassung:
(EN) A method with several options to manufacture high aspect ratio structures is proposed. The method is based on fabrication of high aspect ratio recess structure in silicon by dry or chemical etching and then filling the high aspect ratio recess with metal by using electroplating, atomic layer deposition, wafer bonding, metal casting or combination of these techniques. The gratings can be used for x-ray or neutron imaging, as well as for space applications.
(FR) La présente invention a trait à un procédé ayant plusieurs options pour la fabrication de structures à rapport d'aspect élevé. Le procédé est basé sur la fabrication d'une structure évidée à rapport d'aspect élevé dans du silicium grâce à une gravure sèche ou chimique, puis grâce au remplissage de l'évidement à rapport d'aspect élevé à l'aide d'un métal par dépôt électrolytique, par dépôt de couche atomique, par connexion sur plaquette, par coulée de métal ou par association de ces techniques. Les réseaux peuvent être utilisés dans l'imagerie par rayons X ou l'imagerie neutronique, ainsi que dans des applications spatiales.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)