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1. (WO2017013881) RUTILE-TYPE NIOBIUM OXYNITRIDE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
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Veröff.-Nr.: WO/2017/013881 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2016/003412
Veröffentlichungsdatum: 26.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 21.07.2016
IPC:
C01G 33/00 (2006.01) ,C23C 14/06 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
01
Anorganische Chemie
G
Verbindungen der von den Unterklassen C01D oder C01F105
33
Verbindungen des Niobs
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
06
gekennzeichnet durch das Beschichtungsmaterial
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
24
Vakuumbedampfen
28
durch Wellenenergie oder Teilchenbestrahlung
Anmelder:
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP
Erfinder:
菊地 諒介 KIKUCHI, Ryosuke; --
羽藤 一仁 HATO, Kazuhito; --
長谷川 哲也 HASEGAWA, Tetsuya; --
廣瀬 靖 HIROSE, Yasushi; --
Vertreter:
鎌田 耕一 KAMADA, Koichi; JP
間中 恵子 KENCHU, Keiko; JP
Prioritätsdaten:
2015-14570323.07.2015JP
Titel (EN) RUTILE-TYPE NIOBIUM OXYNITRIDE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) OXYNITRURE DE NIOBIUM TYPE RUTILE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, ET STRUCTURE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) ルチル型ニオブ酸窒化物及びその製造方法、並びに半導体構造体
Zusammenfassung:
(EN) The present disclosure provides a rutile-type niobium oxynitride having a rutile-type crystal structure and represented by the chemical formula NbON. The present disclosure also provides a semiconductor structure (100) comprising: a substrate (110) in which at least one principal surface is formed of a rutile-type compound having a rutile-type crystal structure; and a niobium oxynitride (for example, a rutile-type niobium oxynitride film (120)) grown on said one principal surface of the substrate (110), the niobium oxynitride having a rutile-type crystal structure and represented by the chemical formula NbON.
(FR) L’invention fournit un oxynitrure de niobium type rutile qui possède une structure cristalline de type rutile, et qui est représenté par la formule chimique NbON. En outre, l’invention fournit une structure de semi-conducteur (100) qui contient : un substrat (110) tel qu’au moins une face principale est formée par un composé type rutile possédant une structure cristalline de type rutile ; et un oxynitrure de niobium (par exemple, un film d’oxynitrure de niobium type rutile (120)) qui possède une structure cristalline de type rutile, qui est représenté par la formule chimique NbON, et dont la croissance s’est faite sur ladite face principale du substrat (110).
(JA) 本開示は、ルチル型の結晶構造を有する、化学式NbONにより表されるルチル型ニオブ酸窒化物を提供する。また、本開示は、少なくとも一方の主面が、ルチル型の結晶構造を有するルチル型化合物で形成されている基板(110)と、基板(110)の前記一方の主面上に成長した、ルチル型の結晶構造を有する化学式NbONにより表されるニオブ酸窒化物(例えばルチル型ニオブ酸窒化物膜(120))と、を含む半導体構造体(100)も提供する。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)