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1. (WO2017009377) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/009377 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/066659
Veröffentlichungsdatum: 19.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 13.07.2016
IPC:
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/42 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
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mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
40
Materialien hierfür
42
transparente Materialien
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
GEHRKE, Kai; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 111 301.513.07.2015DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Zusammenfassung:
(EN) In one embodiment, the optoelectronic semiconductor chip (1) comprises a first semiconductor region (21) of a first conductivity type and a second semiconductor region (23) of a second conductivity type. An active zone (22) configured for generating light is situated between these two semiconductor regions (21, 23). A first electric contact layer (31) is situated directly at the first semiconductor region (21) in places. Furthermore, a second electric contact layer (32) is situated directly at the second semiconductor region (23) in places, wherein the semiconductor regions (21, 23) are energized by way of the contact layers (31, 33). Furthermore, two metallic current leads (41, 43) and an insulation layer (5) are present. The insulation layer (5) covers the second semiconductor region (23) directly in places and rises over the latter. Further, the insulation layer (5) is situated below the current lead (43) for the second semiconductor region (23). Both contact layers (31, 33) are produced from a transparent conductive oxide and the first contact layer (31) is formed directly over the second contact layer (33) and also over the insulation layer (5).
(FR) Dans un mode de réalisation de la présente invention, la puce semi-conductrice optoélectronique (1) comporte un premier secteur semi-conducteur (21) d’un premier type de conductivité et un deuxième secteur semi-conducteur (23) d’un deuxième type de conductivité. Entre ces deux secteurs semi-conducteurs (21, 23) se trouve une zone active (22) qui est conçue pour générer de la lumière. Une première couche de contact électrique (31) se trouve par endroits directement contre le premier secteur semi-conducteur (21). En plus, une deuxième couche de contact électrique (32) se trouve par endroits directement contre le deuxième secteur semi-conducteur (23), les secteurs semi-conducteurs (21, 23) étant alimentés par l'intermédiaire des couches de contact (31, 33). La puce comprend en outre des arrivées de courant bimétalliques (41, 43) et une couche d’isolation (5). La couche d’isolation (5) recouvre par endroits directement le deuxième secteur semi-conducteur (23) et s’élève au-dessus de ce dernier. La couche d’isolation (5) se trouve en plus sous l’arrivée de courant (43) pour le deuxième secteur semi-conducteur (23). Les deux couches de contact (31, 33) sont fabriquées à partir d’un oxyde conducteur transparent et la première couche de contact (31) surmoule directement la deuxième couche de contact (33) et également la couche d’isolation (5).
(DE) In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten und einen zweiten Halbleiterbereich (23) eineszweiten Leitfähigkeitstyps. Zwischen diesen beiden Halbleiterbereichen (21, 23) befindet sich eine aktive Zone (22), die zur Erzeugung von Licht eingerichtet ist. Eine erste elektrische Kontaktschicht (31)befindet sich stellenweise direkt an dem ersten Halbleiterbereich (21). Ferner befindet sich eine zweite elektrische Kontaktschicht (32) stellenweise direkt an dem zweiten Halbleiterbereich (23), wobei die Halbleiterbereiche (21, 23) über die Kontaktschichten (31, 33) bestromt werden. Weiterhin sind zweimetallische Stromzuführungen (41, 43) und eine Isolierschicht(5) vorhanden. Die Isolierschicht (5) bedeckt stellenweise direkt den zweiten Halbleiterbereich (23) und erhebt sich über diesen. Ferner befindet sich die Isolierschicht (5) unter der Stromzuführung (43) für den zweiten Halbleiterbereich (23). Beide Kontaktschichten (31, 33) sind aus einem transparenten leitfähigen Oxid hergestellt und die erste Kontaktschicht (31) überformt die zweite Kontaktschicht (33) direkt und auch die Isolierschicht (5).
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)