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1. (WO2017009359) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER GRAPHENBASIERTEN SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT MITTELS PECVD
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/009359 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/066584
Veröffentlichungsdatum: 19.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 13.07.2016
IPC:
C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,C23C 16/26 (2006.01) ,C23C 16/503 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
06
gekennzeichnet durch das Beschichtungsmaterial
14
Metallische Stoffe, Bor oder Silicium
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
35
durch Anwendung eines magnetischen Feldes, z.B. Magnetron-Zerstäubung
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
22
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
26
Alleiniges Abscheiden von Kohlenstoff
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
50
unter Anwendung elektrischer Entladungen
503
unter Anwendung von Gleichstrom- oder Wechselstromentladungen
Anmelder:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Erfinder:
WALD, Katrin; DE
FAHLAND, Matthias; DE
GÜNTHER, Steffen; DE
SCHILLER, Nicolas; DE
Prioritätsdaten:
10 2015 111 35114.07.2015DE
Titel (EN) METHOD FOR PECVD DEPOSITION OF A GRAPHENE-BASED LAYER ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉPOSER UNE COUCHE À BASE DE GRAPHÈNE SUR UN SUBSTRAT PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA (PECVD)
(DE) VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER GRAPHENBASIERTEN SCHICHT AUF EINEM SUBSTRAT MITTELS PECVD
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for depositing a graphene-based layer on a substrate by chemical vapour deposition wherein at least one hydrocarbon as starting material for a chemical reaction is admitted to a vacuum chamber and concurrently a plasma is formed within the vacuum chamber. The plasma here is generated using at least one magnetron comprising at least one target of a material comprising at least one catalytically active metal from the group of chemical elements having atomic numbers 21 to 30, 39 to 48, 57, 72 to 80 and 89, the sputtering of the target being set such that the fraction of target particles incorporated in the graphene-based layer is less than 1 at%.
(FR) La présente invention concerne un procédé permettant de déposer une couche à base de graphène sur un substrat au moyen d'un dépôt chimique en phase gazeuse. Selon ce procédé, au moins un hydrocarbure est introduit en tant que matière de départ pour une réaction chimique dans une chambre à vide et, simultanément, un plasma est formé à l'intérieur de la chambre à vide. Au moins un magnétron est utilisé pour produire le plasma, lequel magnétron comporte au moins une cible dont le matériau contient au moins un métal à activité catalytique du groupe des éléments chimiques portant les numéros atomiques 21 à 30, 39 à 48 57, 72 à 80 et 89. La pulvérisation cathodique de la cible est réglée de manière que la proportion de particules de cible intégrées dans la couche à base de graphène est inférieure à 1% at.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden einer graphenbasierten Schicht auf einem Substrat mittels chemischer Gasphasenabscheidung, bei der zumindest ein Kohlenwasserstoff als Ausgangsmaterial für eine chemische Reaktion in eine Vakuumkammer eingelassen und gleichzeitig ein Plasma innerhalb der Vakuumkammer ausgebildet werden. Dabei wird mindestens ein Magnetron zum Erzeugen des Plasmas verwendet, wobei das Magnetron mindestens ein Target umfasst, dessen Material mindestens ein katalytisch wirksames Metall aus der Gruppe der chemischen Elemente mit den Ordnungszahlen 21 bis 30, 39 bis 48 57, 72 bis 80 und 89 enthält und wobei das Sputtern des Targets derart eingestellt wird, dass der Anteil in der graphenbasierten Schicht eingelagerter Targetpartikel kleiner als 1 at% ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)