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1. (WO2017009292) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Pub. No.:    WO/2017/009292    International Application No.:    PCT/EP2016/066441
Publication Date: Fri Jan 20 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Tue Jul 12 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 33/38
H01L 33/40
H01L 33/20
H01L 33/30
H01L 33/42
H01L 33/44
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: PERZLMAIER, Korbinian
HÖPPEL, Lutz
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben. Eine Halbleiterschichtenfolge (3) wird bereitgestellt, umfassend eine erste Halbleiterschicht (3a) und eine zweite Halbleiterschicht (3b). Ferner wird eine erste Kontaktschicht (5a) bereitgestellt, die sich lateral entlang der ersten Halbleiterschicht (3a) erstreckt und diese elektrisch kontaktiert. Eine dritte Halbleiterschicht (7) wird auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der ersten Kontaktschicht (5a) aufgebracht. Es wird eine Ausnehmung (8) ausgebildet, die sich durch die dritte Halbleiterschicht (7), die erste Kontaktschicht (5a) und die erste Halbleiterschicht (3a) hindurch in die zweite Halbleiterschicht (3b) hinein erstreckt. Eine Passivierungsschicht (9) wird auf einer der Halbleiterschichtenfolge (3) abgewandten Seite der dritten Halbleiterschicht (7) aufgebracht. Wenigstens eine erste (9a) und wenigstens eine zweite Durchgangsöffnung (9b, 9c) werden in der Passivierungsschicht (9) ausgebildet. Eine zweite Kontaktschicht (5b) wird aufgebracht, die die zweite Halbleiterschicht (3b) im Bereich der wenigstens einen ersten Durchgangsöffnung (9a) elektrisch kontaktiert und die dritte Halbleiterschicht (7) im Bereich der wenigstens einen zweiten Durchgangsöffnung (9b, 9c) elektrisch kontaktiert. Des Weiteren wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben.