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1. (WO2017009183) OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN ANORDNUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/009183 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/066170
Veröffentlichungsdatum: 19.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 07.07.2016
IPC:
H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
LEIRER, Christian; DE
PERZLMAIER, Korbinian; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 111 574.316.07.2015DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC ARRANGEMENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC ARRANGEMENT
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN ANORDNUNG
Zusammenfassung:
(EN) An optoelectronic arrangement is specified, comprising – a moulded body (2) having a base surface (2b), – a first pixel group (41) with a multiplicity of pixels (1) assigned thereto, each having a first semiconductor region (11), a second semiconductor region (12) and an active region (10), – a multiplicity of separating structures (3) arranged between the pixels (1), and – at least one first contact structure (51, 52, 53) having a first contact plane (51) and a first contact location (52), which is freely accessible at the base surface (2b), wherein – the pixels (1) of the first pixel group (41) are arranged alongside one another at the top surface (2a), – the first semiconductor regions (11) and/or the second semiconductor regions (12) of adjacent pixels (1) of the first pixel group (41) are electrically insulated from one another by means of the separating structures (3), – a first contact structure (51, 52, 53) is assigned one-to-one to the first pixel group (41), and – the first semiconductor regions (11) of the pixels (1) of the first pixel group (41) are electrically conductively connected to one another by means of the first contact plane (51) and are electrically contactable by means of the first contact location (52).
(FR) L'invention concerne un dispositif optoélectronique, comportant : un corps moulé (2) ayant une surface de fond (2b) ; un premier groupe de pixels (41) auquel est attribuée une pluralité de pixels (1), comprenant chacun un premier secteur semi-conducteur (11), un second secteur semi-conducteur (12) et un secteur actif (10) ; une pluralité de structures de séparation (3) qui sont disposées entre les pixels (1) ; et - au moins une première structure de contacts (51, 52, 53) comprenant un premier plan de contact (51) et un premier site de contact (52) qui est librement accessible sur la surface du fond (2b). Selon l’invention : les pixels (1) du premier groupe de pixels (41) sont disposés les uns à côté des autres sur la surface de recouvrement (2a) ; les premiers secteurs semi-conducteurs (11) et/ou les seconds secteurs semi-conducteurs (12) des pixels voisins (1) du premier groupe de pixels (41) sont isolés électriquement les uns des autres au moyen des structures de séparation (3) ; une première structure de contacts (51, 52, 53) est attribuée de manière univoque au premier groupe de pixels (41) ; et les premiers secteurs semi-conducteurs (11) des pixels (1) du premier groupe de pixels (41) sont reliés les uns aux autres de manière électroconductrice au moyen du premier plan de contact (51) et peuvent être mis en contact électrique au moyen du premier site de contact (52).
(DE) Es wird eine optoelektronische Anordnung angegeben, umfassend - einen Formkörper (2) mit einer Bodenfläche (2b), - eine erste Pixelgruppe (41), der eine Vielzahl von Pixeln (1) zugeordnet ist, jeweils aufweisend einen ersten Halbleiterbereich (11), einen zweiten Halbleiterbereich (12) und einen aktiven Bereich (10), - eine Vielzahl von Trennstrukturen (3), die zwischen den Pixeln (1) angeordnet sind, und - zumindest eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) aufweisend eine erste Kontaktebene (51) und eine erste Kontaktstelle (52), die an der Bodenfläche (2b) frei zugänglich ist, wobei - die Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) nebeneinander an der Deckfläche (2a) angeordnet sind, - die ersten Halbleiterbereiche (11) und/oder die zweiten Halbleiterbereiche (12) benachbarter Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der Trennstrukturen (3) voneinander elektrisch isoliert sind, - der ersten Pixelgruppe (41) eine erste Kontaktstruktur (51, 52, 53) eineindeutig zugeordnet ist, und - die ersten Halbleiterbereiche (11) der Pixel (1) der ersten Pixelgruppe (41) mittels der ersten Kontaktebene (51) elektrisch leitend miteinander verbunden sind und mittels der ersten Kontaktstelle (52) elektrisch kontaktierbar sind.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)