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1. (WO2017005866) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/005866 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/066165
Veröffentlichungsdatum: 12.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 07.07.2016
IPC:
H01L 33/38 (2010.01)
[IPC code unknown for H01L 33/38]
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
KREUTER, Philipp; DE
VARGHESE, Tansen; DE
SCHMID, Wolfgang; DE
BRÖLL, Markus; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 111 130.609.07.2015DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) The optoelectronic component (100) comprises a semiconductor layer sequence (1) having a first layer (10), a second layer (12) and an active layer (11) arranged between the first layer (10) and the second layer (12), wherein the active layer (11) directly adjoins the first layer (10) and the second layer (12). A radiation surface (13) directly adjoins the second layer (12). Moreover, the component (100) comprises a plurality of contact islands (20) for electrically contacting the first layer (10) and a plurality of plated-through holes (23) for electrically contacting the second layer (12). The plated-through holes (23) are led through the first layer (10) and the active layer (11) and lead into the second layer (12). The contact islands (20) are applied laterally alongside one another directly on a rear side (15) of the first layer (10) facing away from the radiation surface (13). In a plan view of the rear side (15), the plated-through holes (23) are arranged in regions between the contact islands (20). Each contact island (20) is laterally completely surrounded by an electrical insulation region (3) and is spaced apart from the other contact islands (20) in a lateral direction by the insulation region (3). A sheet resistance of the second layer (12) is at most one quarter of a lateral sheet resistance of the first layer (10).
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (100) comportant une succession de couches semi-conductrices (1) comprenant une première couche (10), une deuxième couche (12) et une couche active (11) disposée entre la première (10) et la deuxième couche (12), la couche active (11) étant directement adjacente à la première (10) et à la deuxième couche (12). Une surface de rayonnement (13) est directement adjacente à la deuxième couche (12). En outre, le composant (100) comporte une pluralité d'îlots de contact (20) pour la mise en contact électrique de la première couche (10) ainsi qu'une pluralité de trous métallisés (23) pour la mise en contact électrique de la deuxième couche (12). Les trous métallisés (23) sont guidés à travers la première couche (10) et la couche active (11) et débouchent dans la deuxième couche (12). Les îlots de contact (20) sont appliqués latéralement les uns à côté des autres directement sur un côté arrière (15), opposé à la surface de rayonnement (13), de la première couche (10). Dans une vue de dessus du côté arrière (15), les trous métallisés (23) sont disposés dans des régions entre les îlots de contact (20). Chaque îlot de contact (20) est entouré latéralement complètement par une région d'isolation électrique (3) et est espacé des îlots de contact restants (20) dans la direction latérale par la région d'isolation (3). Une résistance surfacique de la deuxième couche (12) vaut au maximum un quart d'une résistance surfacique latérale de la première couche (10).
(DE) Das optoelektronische Bauelement (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer ersten Schicht (10), einer zweiten Schicht (12) und einer zwischen der ersten (10) und zweiten Schicht (12) angeordneten aktiven Schicht (11), wobei die aktive Schicht (11) direkt an die erste (10) und zweite Schicht (12) angrenzt. Eine Strahlungsfläche (13) grenzt direkt an die zweite Schicht (12). Außerdem umfasst das Bauelement (100) eine Mehrzahl von Kontaktinseln (20) zur elektrischen Kontaktierung der ersten Schicht (10) sowie eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen (23) zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Schicht (12). Die Durchkontaktierungen (23) sind durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) geführt und münden in die zweite Schicht (12). Die Kontaktinseln (20) sind lateral nebeneinander direkt auf einer der Strahlungsfläche (13) abgewandten Rückseite (15) der ersten Schicht (10) aufgebracht. In Draufsicht auf die Rückseite (15) sind die Durchkontaktierungen (23) in Bereichen zwischen den Kontaktinseln (20) angeordnet. Jede Kontaktinsel (20) ist lateral vollständig von einem elektrischen Isolationsbereich (3) umgeben und durch den Isolationsbereich (3) von den übrigen Kontaktinseln (20) in lateraler Richtung beabstandet. Ein Flächenwiderstand der zweiten Schicht (12) beträgt höchstens ein Viertel eines lateralen Flächenwiderstands der ersten Schicht (10).
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