Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2017002854) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2017/002854 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2016/069267
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 29.06.2016
IPC:
G01N 27/00 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
27
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Anwendung elektrischer, elektrochemischer oder magnetischer Mittel
Anmelder:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP
Erfinder:
原田 直樹 HARADA, Naoki; JP
佐藤 信太郎 SATO, Shintaro; JP
林 賢二郎 HAYASHI, Kenjiro; JP
山口 淳一 YAMAGUCHI, Junichi; JP
Vertreter:
國分 孝悦 KOKUBUN, Takayoshi; JP
Prioritätsdaten:
2015-13122930.06.2015JP
Titel (EN) GAS SENSOR AND METHOD FOR USING SAME
(FR) CAPTEUR DE GAZ ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) ガスセンサ及びその使用方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention includes: semiconductor layers (101-103); a graphene film (105) that is provided above the semiconductor layers (101-103), at least a section thereof coming into contact with a gas; and a barrier film (104) between the semiconductor layers (101-103) and the graphene film (105).
(FR) La présente invention comprend : des couches à semi-conducteur (101-103) ; un film de graphène (105) qui est prévu au-dessus des couches à semi-conducteur (101-103), au moins une section de celui-ci venant en contact avec un gaz ; et un film barrière (104) entre les couches à semi-conducteur (101-103) et le film de graphène (105).
(JA) 半導体層(101~103)と、半導体層(101~103)上方に設けられ、少なくとも一部が気体に接するグラフェン膜(105)と、半導体層(101~103)とグラフェン膜(105)との間のバリア膜(104)と、が含まれる。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)
Auch veröffentlicht als:
CN107709979US20180136157