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1. (WO2017002196) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2017/002196 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2015/068820
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 30.06.2015
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H03H 7/40 (2006.01)
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H
Plasmatechnik; Erzeugung von beschleunigten elektrisch geladenen Teilchen oder von Neutronen; Erzeugung oder Beschleunigung von neutralen Molekular- oder Atomstrahlen
1
Erzeugen von Plasma; Handhaben von Plasma
24
Erzeugen von Plasma
46
unter Verwendung angelegter elektromagnetischer Felder, z.B. Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
H
Scheinwiderstandsnetzwerke, z.B. Resonanzkreise; Resonatoren
7
Mehrtor-Netzwerke mit nur passiven elektrischen Bauelementen
38
Widerstandsanpassungsnetzwerke
40
Selbsttätiges Anpassen des Belastungswiderstandes an den Eingangswiderstand
Anmelder:
株式会社日立国際電気 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 東京都港区西新橋二丁目15番12号 15-12, Nishi-shimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039, JP
Erfinder:
藤本 直也 FUJIMOTO Naoya; JP
加藤 規一 KATO Norikazu; JP
押田 善之 OSHIDA Yoshiyuki; JP
Vertreter:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
Prioritätsdaten:
Titel (EN) MATCHING BOX AND MATCHING METHOD
(FR) BOÎTE D'ADAPTATION ET PROCÉDÉ D'ADAPTATION
(JA) 整合器及び整合方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a matching box comprising the following: a directional coupler that detects traveling waves and reflected waves; a matching circuit having a first variable capacitance capacitor, a second variable capacitance capacitor, and inductance; and a control unit that calculates a reflection coefficient on the basis of the traveling waves and the reflected waves, and controls a capacitance value VC1 of the first variable capacitance capacitor and a capacitance value VC2 of the second variable capacitance capacitor, wherein the control unit changes VC2 if the distance between a matching circle drawn by the trajectory of the reflection coefficient passing through a matching point on a Smith chart, and the calculated reflection coefficient is greater than a prescribed value, and changes VC1 if such distance is set to be no greater than the prescribed value and when the value of such distance becomes no greater than the prescribed value, thereby reducing the reflection coefficient.
(FR) L'invention concerne une boîte d'adaptation comprenant les éléments suivants : un coupleur directionnel qui détecte des ondes progressives et des ondes réfléchies; un circuit d'adaptation ayant un premier condensateur à capacitance variable, un second condensateur à capacitance variable, et une inductance; et une unité de commande qui calcule un coefficient de réflexion sur la base des ondes progressives et des ondes réfléchies, et commande une valeur de capacité VC1 du premier condensateur à capacitance variable et une valeur de capacité VC2 du second condensateur à capacitance variable, laquelle unité de commande modifie VC2 si la distance entre un cercle d'adaptation tracé par la trajectoire du coefficient de réflexion passant par un point d'adaptation sur un diagramme de Smith, et lequel coefficient de réflexion calculé est supérieur à une valeur prescrite, et change VC1 si une telle distance est réglée pour ne pas être supérieure à la valeur prescrite et lorsque la valeur de ladite distance est inférieure ou égale à la valeur prescrite, ce qui permet de réduire le coefficient de réflexion.
(JA) 進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、第1の可変容量コンデンサと第2の可変容量コンデンサとインダクタンスとを有する整合回路と、進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し第1の可変容量コンデンサの容量値VC1と前記第2の可変容量コンデンサの容量値VC2とを制御する制御部と、を備える整合器において、制御部は、スミスチャート上で整合点を通過する反射係数の軌跡が描く整合円と、算出された反射係数との間の距離が所定値より大きい場合は、VC2を変更して、前記距離を前記所定値以内とし、前記距離が前記所定値以内になると、VC1を変更して反射係数を小さくする。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)
Auch veröffentlicht als:
KR1020180010239JPWO2017002196US20180191324