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1. (WO2017001602) HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/001602 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/065385
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 30.06.2016
IPC:
H03F 3/193 (2006.01) ,H01F 27/28 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H03F 3/30 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
189
Hochfrequenzverstärker, z.B. Verstärker für Radiofrequenzen
19
nur mit Halbleiterbauelementen
193
mit Feldeffektbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
F
Magnete; Induktivitäten; Transformatoren; Auswahl der Werkstoffe hinsichtlich ihrer magnetischen Eigenschaften
27
Einzelheiten von Transformatoren oder Induktivitäten allgemein
28
Spulen; Wicklungen; leitende Verbindungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37
Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32
Gasgefüllte Entladungsröhren
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
30
Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang; Phasenumkehrstufen hierfür
Anmelder:
TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG [DE/DE]; Bötzinger Strasse 80 79111 Freiburg, DE
Erfinder:
GREDE, André; CH
ALT, Alexander; GB
GRUNER, Daniel; DE
LABANC, Anton; DE
Vertreter:
TRUMPF PATENTABTEILUNG; Trumpf GmbH + Co KG Johann-Maus-Strasse 2 71254 Ditzingen Baden-Württemberg, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 212 220.430.06.2015DE
Titel (EN) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER ARRANGEMENT
(FR) ENSEMBLE AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(DE) HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
Zusammenfassung:
(EN) A high-frequency amplifier arrangement (1) which is suitable for producing output powers of >= 1 kW at frequencies of >= 2 MHz for plasma excitation, comprising: a. two transistors (S1, S2), the source and emitter connections of which are each connected to an earth connection point (5), wherein the transistors (S1, S2) have an identical design and are arranged on a multilayer printed circuit board (2), b. a power transformer (7), the primary winding (6) of which is connected to the drain and collector connections of the transistors (S1, S2), c. the primary winding (6) and the secondary winding (4) of the power transformer (7) are each in the form of planar conductor tracks which are arranged in different upper layers (61, 62) of the multilayer printed circuit board (2).
(FR) L'invention concerne un ensemble amplificateur haute fréquence (1) conçu pour produire des puissance de sortie >= 1 kW à des fréquences >= 2 MHz pour l'excitation d'un plasma, cet ensemble comprenant : a. deux transistors (S1, S2) qui sont chacun reliés par leur borne de source ou d'émetteur à un point de connexion à la terre (5), ces transistors (S1, S2) étant de conception similaire et étant agencés sur une carte de circuit imprimé multicouche (2), b. un dispositif de transmission de puissance (7) dont l'enroulement primaire (6) est relié aux bornes de drain ou de collecteur des transistors (S1, S2), c. l'enroulement primaire (6) et l'enroulement secondaire (4) du dispositif de transmission de puissance (7) se présentant chacun sous la forme de pistes conductrices planaires qui sont agencées dans des couches supérieures différentes (61, 62) de la carte de circuit imprimé multicouche (2).
(DE) Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen >= 1 kW bei Frequenzen >= 2MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfassend : a. zwei Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Source- bzw. Emitteranschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und an einer mehrlagigen Leiterkarte (2) angeordnet sind, b. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drain- bzw. Kollektoranschlüsse der Transistoren (S1, S2) verbunden ist, c. die Primärwicklung (6) und die Sekundärwicklung (4) des Leistungsübertragers (7) jeweils als planare Leiterbahnen ausgeführt sind, die in unterschiedlichen oberen Lagen (61, 62) der mehrlagigen Leiterkarte (2) angeordnet sind.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)