Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2017001599) NICHT LINEARE HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG

Pub. No.:    WO/2017/001599    International Application No.:    PCT/EP2016/065382
Publication Date: Fri Jan 06 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Fri Jul 01 01:59:59 CEST 2016
IPC: H03F 3/193
H01J 37/32
H03F 3/217
H03F 3/30
Applicants: TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG
Inventors: GREDE, André
ALT, Alexander
GRUNER, Daniel
LABANC, Anton
Title: NICHT LINEARE HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
Abstract:
Eine nicht lineare Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 1MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfassend: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (Package) (3) angeordnet sind, b. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, c. einen Signalübertrager (11), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (Sl) verbunden ist und mit einem zweiten Ende mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, d. jeweils einen Rückkoppelpfad (34, 35) von dem Drainanschluss zu dem Gateanschluss (15, 17) jedes LDMOS-Transistors (S1, S2).