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1. (WO2017001594) HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2017/001594 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/065376
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2017 Internationales Anmeldedatum: 30.06.2016
IPC:
H03F 3/193 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H03F 3/30 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
189
Hochfrequenzverstärker, z.B. Verstärker für Radiofrequenzen
19
nur mit Halbleiterbauelementen
193
mit Feldeffektbauelementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37
Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32
Gasgefüllte Entladungsröhren
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
30
Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang; Phasenumkehrstufen hierfür
Anmelder:
TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG [DE/DE]; Bötzinger Strasse 80 79111 Freiburg, DE
Erfinder:
GREDE, André; CH
ALT, Alexander; GB
GRUNER, Daniel; DE
LABANC, Anton; DE
Vertreter:
TRUMPF PATENTABTEILUNG; Trumpf GmbH + Co KG Johann-Maus-Strasse 2 Baden-Württemberg 71254 Ditzingen, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 212 247.630.06.2015DE
Titel (EN) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER ARRANGEMENT
(FR) ENSEMBLE AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(DE) HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a high-frequency amplifier arrangement (1) suitable for generating power outputs ≥ 1kW at frequencies ≥ 2MHz, for the purpose of plasma excitation, comprising a. two LDMOS transistors (S1, S2) each connected by their source connection to an earth connection point (5), wherein the LDMOS transistors (S1, S2) have the same design and are arranged in an assembly (3) (package), b. a circuit board (2) lying flat against a metallic cooling plate (25) and connected, by means of a plurality of earth connections (8, 19, 21, 24), to said cooling plate (25) which can be connected to the earth (26), wherein the assembly (3) is arranged on or against the circuit board (2), c. a power transformer (7) whose primary winding (6) is connected to the drain connections of the LDMOS transistors (S1, S2), and d. a signal transmitter (10) whose secondary winding (13) is connected, with a first end and via one or more resistive elements (14), to the gate connection (15) of one LDMOS transistor (S1) and connected, with a second end and via one or more resistive elements (16), to the gate connection (17) of the other LDMOS transistor (S2), wherein each gate connection (15, 17) is connected to the earth (19, 21) via at least one voltage-limiting structural element arrangement (18, 20, 18', 20').
(FR) L'invention concerne un ensemble amplificateur haute fréquence (1) conçu pour produire des puissance de sortie ≥ 1 kW à des fréquences ≥ 2 MHz pour l'excitation d'un plasma, cet ensemble comprenant : a. deux transistors LDMOS (S1, S2) qui sont chacun reliés par leur borne de source à un point de connexion à la terre (5), ces transistors LDMOS (S1, S2) étant de conception similaire et étant agencés dans un module (3) (boîtier), b. une carte de circuit imprimé (2) qui repose à plat sur une plaque de refroidissement (25) métallique et qui est reliée par plusieurs prises de terre (8, 19, 21, 24) à la plaque de refroidissement (25) pouvant être reliée à la terre (26), ledit module (3) étant agencé sur ou contre la carte de circuit imprimé (2), c. un dispositif de transmission de puissance (7) dont l'enroulement primaire (6) est relié aux bornes de drain des transistors LDMOS (S1, S2), d. un dispositif de transmission de signaux (10) dont l'enroulement secondaire (13) est relié par une première extrémité à la borne de grille (15) d'un transistor LDMOS (S1) par l'intermédiaire d'un ou de plusieurs éléments résistifs (14) et par une deuxième extrémité à la borne de grille (17) de l'autre transistor LDMOS (S2) par l'intermédiaire d'un ou de plusieurs éléments résistifs (16), chaque borne de grille (15, 17) étant reliée à la terre (19, 21) par l'intermédiaire d'au moins un ensemble de composants limiteurs de tension (18, 20, 18', 20').
(DE) Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1), die geeignet ist, Ausgangsleistungen ≥ 1kW bei Frequenzen ≥ 2MHz zur Plasmaanregung zu erzeugen, umfasst: a. zwei LDMOS-Transistoren (S1, S2), die mit ihrem Sourceanschluss jeweils mit einem Masseverbindungspunkt (5) verbunden sind, wobei die LDMOS-Transistoren (S1, S2) gleichartig ausgebildet sind und in einer Baugruppe (3) (Package) angeordnet sind, b. eine Leiterkarte (2), die flächig an einer metallischen Kühlplatte (25) anliegt und über mehrere Masseverbindungen (8, 19, 21, 24) mit der mit Masse (26) verbindbaren Kühlplatte (25) verbunden ist, wobei die Baugruppe (3) auf oder an der Leiterkarte (2) angeordnet ist, c. einen Leistungsübertrager (7), dessen Primärwicklung (6) mit den Drainanschlüssen der LDMOS-Transistoren (S1, S2) verbunden ist, d. einen Signalübertrager (10), dessen Sekundärwicklung (13) mit einem ersten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (14) mit dem Gateanschluss (15) des einen LDMOS-Transistors (S1) verbunden ist und mit einem zweiten Ende über ein oder mehrere resistive Elemente (16) mit dem Gateanschluss (17) des anderen LDMOS-Transistors (S2) verbunden ist, wobei jeder Gatenanschluss (15, 17) über zumindest eine spannungsbegrenzende Bauelementanordnung (18, 20, 18', 20') mit Masse (19, 21) verbunden ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)