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1. (WO2017001082) TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT

Pub. No.:    WO/2017/001082    International Application No.:    PCT/EP2016/059386
Publication Date: Fri Jan 06 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Apr 28 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/778
H01L 21/336
H01L 29/49
H01L 29/423
H01L 29/20
H01L 29/417
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH
Inventors: SCHWAIGER, Stephan
JAUSS, Simon Alexander
GRIEB, Michael
Title: TRANSISTOR MIT HOHER ELEKTRONENBEWEGLICHKEIT
Abstract:
Verfahren zum Herstellen eines Transistors (100, 200, 300, 400, 500, 600, 700) mit hoher Elektronenbeweglichkeit umfassend ein Substrat (101, 201, 301, 401, 501, 601, 701) mit einer Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703), insbesondere eine AlGaN/GaN-Heterostruktur, mit den Schritten: Erzeugen (8030) einer Gateelektrode durch Strukturieren einer Halbleiterschicht, die auf die Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) aufgebracht ist, wobei die Halbleiterschicht (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) insbesondere Polysilizium aufweist, Aufbringen (8040) einer Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605) auf die Halbleiterschicht (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704), Bilden (8070) von Drainbereichen und Sourcebereichen indem erste vertikale Öffnungen erzeugt werden, die mindestens bis in die Heterostruktur (103, 203, 303, 403, 503, 603, 703) reichen, Erzeugen (8080) von Ohmschen Kontakten in den Drainbereichen und in den Sourcebereichen durch teilweises Verfüllen der ersten vertikalen Öffnungen mit einem ersten Metall mindestens bis zur Höhe der Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605), und Aufbringen (8090) einer zweiten Metallschicht auf die Ohmschen Kontakte, wobei die zweite Metallschicht über die Passivierungsschicht (105, 205, 305, 405, 505, 605) hinausragt.