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1. (WO2016195881) READ AND WRITE APPARATUS AND METHOD FOR A DUAL PORT MEMORY
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/195881 Internationale Anmeldenummer PCT/US2016/030417
Veröffentlichungsdatum: 08.12.2016 Internationales Anmeldedatum: 02.05.2016
IPC:
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 8/14 (2006.01) ,G11C 8/16 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
7
Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher
10
Eingabe/Ausgabe [I/O]-Datenschnittstellenanordnungen, z.B. I/O-Datensteuerungen, I/O-Datenpuffer
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
8
Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher
14
Organisation der Wortleitungen; Layout der Wortleitungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
8
Anordnungen zur Adressenauswahl für einen digitalen Speicher
16
Speichermatrix mit Mehrfachzugriff, z.B. Adressieren eines Speicherelements über mindestens zwei unabhängige Adressleitungsgruppen
Anmelder:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Erfinder:
KOLAR, Pramod; US
MA, Wei-Hsiang; US
PANDYA, Gunjan H.; US
Vertreter:
MUGHAL, Usman A.; US
Prioritätsdaten:
14/731,31904.06.2015US
Titel (EN) READ AND WRITE APPARATUS AND METHOD FOR A DUAL PORT MEMORY
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE LECTURE ET D'ÉCRITURE POUR UNE MÉMOIRE À DOUBLE PORT
Zusammenfassung:
(EN) Described is an apparatus which comprises: a memory array; first logic to detect whether first and second word-lines (WL) for a row of the memory array are active; and second logic to deactivate one of the first and second WLs such that one of the first and second WLs is active for the row.
(FR) La présente invention concerne un appareil qui comprend : une matrice mémoire ; des premiers circuits logiques pour détecter si des première et seconde lignes de mot (WL) pour une rangée de la matrice mémoire sont actives ; et des seconds circuits logiques pour désactiver l'une des première et seconde WL de sorte que l'une des première et seconde WL est active pour la rangée.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)