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1. (WO2016194613) PATTERN FORMATION METHOD, RESIST PATTERN, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, AND COMPOSITION FOR UPPER-LAYER FILM FORMATION
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Veröff.-Nr.: WO/2016/194613 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2016/064742
Veröffentlichungsdatum: 08.12.2016 Internationales Anmeldedatum: 18.05.2016
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
09
gekennzeichnet durch Einzelheiten des Aufbaus, z.B. Schichtträger, Hilfsschichten
11
mit Deck- oder Zwischenschichten, z.B. Trennschichten
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
26
Verarbeitung von lichtempfindlichen Materialien; Vorrichtungen dafür
30
Bildmäßiges Entfernen mit Hilfe von Flüssigkeiten
32
Flüssigkeitszusammensetzungen dafür, z.B. Entwickler
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
Anmelder:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Erfinder:
井上 尚紀 INOUE Naoki; JP
丹呉 直紘 TANGO Naohiro; JP
山本 慶 YAMAMOTO Kei; JP
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
後藤 研由 GOTO Akiyoshi; JP
Vertreter:
高松 猛 TAKAMATSU Takeshi; JP
Prioritätsdaten:
2015-11036229.05.2015JP
Titel (EN) PATTERN FORMATION METHOD, RESIST PATTERN, PROCESS FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE, AND COMPOSITION FOR UPPER-LAYER FILM FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, MOTIF DE RÉSERVE, PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET COMPOSITION POUR LA FORMATION D'UN FILM DE COUCHE SUPÉRIEURE
(JA) パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び上層膜形成用組成物
Zusammenfassung:
(EN) A pattern formation method comprising a step in which a composition for upper-layer film formation that comprises a resin having a ClogP(Poly) of 3.0 or greater and at least one compound selected from the group consisting of (A1) to (A4) described in the description is applied to a resist film to form an upper-layer film, a step in which the resist film is exposed to light, and a step in which the exposed resist film is developed with a developing liquid comprising an organic solvent; a resist pattern formed by the pattern formation method; a process for producing electronic devices which includes the pattern formation method; and the composition for upper-layer film formation.
(FR) La présente invention a trait : à un procédé de formation de motif qui comprend une étape au cours de laquelle une composition pour la formation d'un film de couche supérieure qui contient une résine ayant une valeur ClogP(Poly) de 3,0 ou plus et au moins un composé choisi dans le groupe constitué par (A1) à (A4) définis dans la description est appliquée sur un film de réserve afin de former un film de couche supérieure, une étape au cours de laquelle le film de réserve est exposé à la lumière, et une étape au cours de laquelle le film de réserve exposé est développé à l'aide d'un liquide de développement contenant un solvant organique; à un motif de réserve formé grâce au procédé de formation de motif; à un processus de fabrication de dispositifs électroniques qui inclut le procédé de formation de motif; et à la composition pour la formation du film de couche supérieure.
(JA) レジスト膜上に、ClogP(Poly)が3.0以上である樹脂と明細書に記載の(A1)~(A4)からなる群より選択される少なくとも1種の化合物とを含有する上層膜形成用組成物を塗布して上層膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及び露光されたレジスト膜を有機溶剤を含む現像液で現像する工程を含むパターン形成方法、上記パターン形成方法により形成されたレジストパターン、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法、及び、上記上層膜形成用組成物。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)