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1. (WO2016190531) METHOD FOR PREPARING BLACK PHOSPHORUS THIN FILM AND BLACK PHOSPHORUS THIN FILM PREPARED THEREBY
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/190531 Internationale Anmeldenummer PCT/KR2016/002977
Veröffentlichungsdatum: 01.12.2016 Internationales Anmeldedatum: 24.03.2016
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/70 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
205
durch Reduktion oder Zerlegung einer gasförmigen Verbindung, die ein festes Kondensat ergibt, d.h. chemische Ablagerung
Anmelder:
한국표준과학연구원 KOREA RESEARCH INSTITUTE OF STANDARDS AND SCIENCE [KR/KR]; 대전시 유성구 가정로 267 267, Gajeong-ro Yuseong-gu Daejeon 34113, KR
Erfinder:
권혁상 KWON, Hyuksang; KR
김정원 KIM, Jeong Won; KR
이은성 LEE, Eun Seong; KR
Vertreter:
특허법인 플러스 PLUS INTERNATIONAL IP LAW FIRM; 대전시 서구 한밭대로 809 10층 10F, 809, Hanbat-daero Seo-gu, Daejeon 35209, KR
Prioritätsdaten:
10-2015-007481028.05.2015KR
10-2015-017225304.12.2015KR
Titel (EN) METHOD FOR PREPARING BLACK PHOSPHORUS THIN FILM AND BLACK PHOSPHORUS THIN FILM PREPARED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE FILM MINCE DE PHOSPHORE NOIR ET FILM MINCE DE PHOSPHORE NOIR PRÉPARÉ PAR CE PROCÉDÉ
(KO) 흑린 박막의 제조방법 및 이로부터 제조된 흑린 박막
Zusammenfassung:
(EN) The present invention relates to a method for preparing a black phosphorus thin film and a black phosphorus thin film prepared thereby and, specifically, prepares a black phosphorus thin film by forming a black phosphorus ultra-thin film by reactive oxygen in a chamber and removing an accompanying black phosphorus oxide film with water. The black phosphorus thin film of the present invention has no substantial defect in a large area, has a flat surface, and has a surface roughness characteristic of 1 nm or less, thereby exhibiting high applicability to an optoelectronic device and a field effect transistor.
(FR) La présente invention concerne un procédé de préparation d'un film mince de phosphore noir et un film mince de phosphore noir préparé par ce procédé et, plus particulièrement, prépare un film mince de phosphore noir grâce à la formation d'un film ultramince de phosphore noir par l'oxygène réactif dans une chambre et au retrait d'un film d'oxyde de phosphore noir associé avec de l'eau. Le film mince de phosphore noir de la présente invention ne présente pas de défaut sensible dans une grande superficie, a une surface plate, et a une rugosité de surface caractéristique inférieure ou égale à 1 nm, ce qui lui permet de présenter une applicabilité élevée à un dispositif optoélectronique et à un transistor à effet de champ.
(KO) 본 발명은 흑린 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 흑린 박막에 관한 것으로, 상세하게는 챔버 내에서 활성산소에 의하여 흑린 초박막을 형성하고, 수반되는 흑린 산화막을 물로 제거하여 흑린 초박막을 제조하는 것이다. 본 발명의 흑린 초박막은 대면적에서 실질적으로 결함이 없고 평탄한 표면을 가지며, 1 nm 이하의 표면조도 특성을 가짐으로써 광전자소자 및 전계 효과 트랜지스터에 높은 응용성을 나타낸다.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Koreanisch (KO)
Anmeldesprache: Koreanisch (KO)