(DE) Eine Vorrichtung (1) zum Detektieren von elektronischen Defekten an Versetzungen und Korngrenzen an Halbleiterwafern (2) auf Silizium-Basis weist eine Beleuchtungseinrichtung (8) zum Beleuchten der Halbleiterwafer (2) mit einer optischen Anregungsstrahlung (9) auf, mittels welcher die Halbleiterwafer (2) zur Emission einer Photo lumineszenzstrahlung (10) anregbar sind. Zum Detektieren der von einer Messstelle (8) ausgesandten Photo lumineszenzstrahlung (10) ist eine Messeinrichtung (15) vorgesehen, die mindestens einen Halbleiter-Sensorchip mit einer für die Photo lumineszenzstrahlung (10) empfindlichen Sensorfläche und eine Optik (17) aufweist, mittels der die von einer Messstelle (8) ausgesandte Photo lumineszenzstrahlung (10) bezüglich ihrer räumlichen Ausbreitung derart beeinflussbar ist, dass sie auf die gesamte Sensorfläche auftrifft. Der Halbleiterwafer (2) ist mittels einer eine Auflagefläche (27) für den mindestens einen Halbleiterwafer (2) aufweisenden Positioniereinrichtung (21) an der Messstelle (8) positionierbar und parallel zu einer von der Auflagefläche (27) aufgespannten Ebene relativ zu der Messstelle (8) bewegbar. Mit dem mindestens einen Halbleiter-Sensorchip ist eine Auswerteeinrichtung (28) verbundenen, die zum Detektieren der Häufigkeit der Korngrenzendefekte in Abhängigkeit vom Messsignal (29) des mindestens einen Halbleiter Sensorchips ausgestaltet ist. Die größte Abmessung, welche die Messstelle (8) in der von der von der Auflagefläche (27) aufgespannten Ebene aufweist, ist kleiner als 10 mm.
(EN) An apparatus (1) for detecting electronic faults at inclusions and grain boundaries on silicon-based semiconductor wafers (2) has an illumination device (8) for illuminating the semiconductor wafers (2) with an optical excitation radiation (9) that can be used to excite the semiconductor wafers (2) to emit a photoluminescent radiation (10). To detect the photoluminescent radiation (10) emitted by a measuring point (8), a measuring device (15) is provided that has at least one semiconductor sensor chip, having a sensor area that is sensitive to the photoluminescent radiation (10), and an optical system (17), which can be used to influence the spatial propagation of the photoluminescent radiation (10) emitted by a measuring point (8) such that it impinges on the entire sensor area. The semiconductor wafer (2) is positionable at the measuring point (8) by means of a positioning device (21) that has a contact area (27) for the at least one semiconductor wafer (2), and is movable relative to the measuring point (8) parallel to a plane defined by the contact area (27). The at least one semiconductor sensor chip has an evaluation device (28) connected to it that is designed to detect the recurrence of grain boundary faults on the basis of the measurement signal (29) from the at least one semiconductor sensor chip. The largest dimension that the measuring point (8) has in the plane defined by the contact area (27) is smaller than 10 mm.
(FR) L'invention concerne un dispositif (1) pour détecter des anomalies électroniques sur des dislocations et des limites de grains sur des tranches de semi-conducteur (2) à base de silicium, qui présente un dispositif d'éclairage (8) pour éclairer la tranche de semi-conducteur (2) à l'aide d'un faisceau d'excitation optique (9), au moyen duquel la tranche de semi-conducteur (2) peut être excitée pour émettre un faisceau photoluminescent (10). Pour détecter le faisceau photoluminescent (10) envoyé depuis un point de mesure (8), l'invention prévoit un dispositif de mesure (15) présentant au moins une puce de détection à semi-conducteurs avec une surface de détection sensible au faisceau photoluminescent (10) et un optique (17), au moyen duquel le faisceau photoluminescent (10) envoyé depuis un point de mesure (8) peut être influencé en fonction de sa distribution spatiale de manière à apparaître sur la totalité de la surface de détection. La tranche de semi-conducteur (2) peut être positionnée sur le point de mesure (8) au moyen d'une surface de contact (27) pour le dispositif de positionnement (21) présentant au moins une tranche de semi-conducteur (2). Elle peut être également déplacée par rapport au point de mesure (8) parallèlement à un plan défini depuis la surface de contact (27). Un dispositif d'évaluation (28) est relié au ou aux capteurs de détection de semi-conducteur, ce dispositif étant configuré pour détecter la fréquence des anomalies de limites de grains en fonction du signal de mesure (29) de la ou des puces de détection à semi-conducteurs. La plus grande dimension, qui présente le point de mesure (8) dans le plan défini depuis la surface de contact (27), est inférieure à 10 mm.