In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2016156329 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS

Veröffentlichungsnummer WO/2016/156329
Veröffentlichungsdatum 06.10.2016
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2016/056819
Internationales Anmeldedatum 29.03.2016
IPC
H01L 33/62 2010.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48charakterisiert durch das Gehäuse
62Anordnungen für die Zuleitung oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
CPC
H01L 21/568
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
568Temporary substrate used as encapsulation process aid
H01L 2224/24
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
24of an individual high density interconnect connector
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48247
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48245the item being metallic
48247connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/73267
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73251on different surfaces
73267Layer and HDI connectors
H01L 2224/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
82by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE]
Erfinder
  • HERRMANN, Siegfried
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2015 104 886.830.03.2015DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) umfasst einen Grundkörper mit einem Träger (3) und einer auf einer Oberseite (30) des Trägers (3) angeordneten Halbleiterschichtenfolge (1), die im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung emittiert oder absorbiert. Ferner umfasst der Halbleiterchip (100) zwei auf der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnete und vom Träger (3) abgewandte Kontaktflächen (20, 21), über die die Halbleiterschichtenfolge (1) elektrisch kontaktierbar ist. Der Halbleiterchip (100) weist außerdem zwei Kontaktelemente (40, 41) auf, die auf den Kontaktflächen (20, 21) aufgebracht sind und mit diesen elektrisch leitend verbunden sind. Der Träger (3) des Grundkörpers umfasst quer zur Oberseite (30) verlaufende Seitenflächen (32) und eine der Oberseite (30) gegenüberliegende Unterseite (31). Die Kontaktelemente (40, 41) sind als Leiterbahnen ausgebildet, die ausgehend von den Kontaktflächen (20, 21) über Kanten des Grundkörpers bis auf die Seitenflächen (32) des Trägers (3) geführt sind.
(EN)
Disclosed is an optoelectronic semiconductor chip (100) comprising a base body having a substrate (3) and a semiconductor layer sequence (1) arranged on an upper face (30) of the substrate (3), which layer sequence emits or absorbs electromagnetic radiation in normal operation. The semiconductor chip (100) further comprises two contact surfaces (20, 21) that are arranged on the semiconductor layer sequence (1) and that face away from the substrate (3), via which surfaces the semiconductor layer sequence (1) can be electrically contacted. The semiconductor chip (100) also has two contact elements (40, 41), which are mounted on the contact surfaces (20, 21) and electrically connected thereto. The substrate (3) of the base body comprises lateral surfaces (32) that extend transversely to the upper surface (30) and comprises a lower face (31) opposite the upper face (30). The contact elements (40, 41) are designed as conductive tracks which run from the contact surfaces (20, 21) over edges of the base body up to the lateral surfaces (32) of the substrate (3).
(FR)
L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (100), qui comporte un corps de base avec un support (3) et avec une série de couches semi-conductrices (1) disposées sur une face supérieure (30) du support (3), qui, en fonctionnement normal, émettent ou absorbent un rayonnement électromagnétique. La puce semi-conductrice optoélectronique (100) comporte en outre deux surfaces de contact (20, 21) disposées sur la série de couches semi-conductrices (1) et à l’opposé du support (3) par le biais desquelles la série de couches semi-conductrices (1) peut être mise en contact électrique. La puce semi-conductrice optoélectronique 100) comprend en outre deux éléments de contact (40, 41) qui sont déposés sur les surfaces de contact (20, 21) et qui sont reliés de manière électroconductrice à celles-ci. Le support (3) du corps de base comporte des surfaces latérales (32) disposées en travers de la face supérieure (30) et une face inférieure (31) située en dessous de la face supérieure (30). Les éléments de contact (40, 41) sont formés en tant que tracés conducteurs qui s’étendent depuis les surfaces de contact (20, 21) jusqu’aux surfaces latérales (32) du support (3) en passant par les bords du corps de base.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten