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1. (WO2016150988) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BAUELEMENTEN AUFWEISEND EINE SCHOTTKY-DIODE MITTELS DRUCKTECHNIK
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/150988    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2016/056315
Veröffentlichungsdatum: 29.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 23.03.2016
IPC:
H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Anmelder: UNIVERSITÄT DUISBURG-ESSEN [DE/DE]; Universitätsstraße 2 45141 Essen (DE)
Erfinder: BENSON, Niels; (DE).
SCHMECHEL, Roland; (DE).
HOFFMANN, Marc; (DE).
KAISER, Thomas; (DE).
ERNI, Daniel; (DE)
Vertreter: SCHMELCHER, Thilo; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2015 205 230.3 23.03.2015 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON BAUELEMENTEN AUFWEISEND EINE SCHOTTKY-DIODE MITTELS DRUCKTECHNIK
(EN) METHOD FOR PRODUCING COMPONENTS HAVING A SCHOTTKY DIODE BY MEANS OF A PRINTING TECHNIQUE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANTS COMPORTANT UNE DIODE SCHOTTKY AU MOYEN D'UNE TECHNIQUE D'IMPRESSION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Das Verfahren weist einen Schritt des Aufbringens und Abscheidens (100) einer Halbleitermaterial-Nanopartikel-Dispersion (HND) auf eine erste Elektrode (Ei), welche auf einem Substrat (S) angeordnet ist, den Schritt des Einstrahlens (200) von Laserlicht (L) auf die abgeschiedene Halbleitermaterial-Nanopartikel-Dispersion (HND) zur Formierung eines mu-Konus (C1, C2) mit einem Boden und einer Spitze, wobei der Boden des mu-Konus mit der ersten Elektrode (Ei) verbunden ist, den Schritt des Einbettens (300) des so formierten mu-Konuses (C1, C2) in eine elektrisch isolierende Polymermatrix (P), und den Schritt des Aufbringens (500) einer zweiten Elektrode (E2), sodass die Spitze des mu-Konus (C1, C2) mit der zweiten Elektrode (E2) verbunden ist, auf.
(EN)The invention relates to a method comprising a step of applying and depositing (100) of a semiconductor material-nanoparticle dispersion (HND) onto a first electrode (Ei) arranged on a substrate (S), the step of irradiating (200) laser light (L) onto the deposited semiconductor material-nanoparticle dispersion (HND) for forming a mu-cone (C1, C2) having a base and a tip, wherein the base of the mu-cone is connected to the first electrode (Ei). The method further comprises the step of embedding (300) the thus-formed mu-cone (C1, C2) in an electrically insulating polymer matrix (P), and the step of applying (500) a second electrode (E2) such that the tip of the mu-cone C1, C2) is connected to the second electrode (E2).
(FR)L'invention concerne un procédé comprenant : une étape d'application et de dépôt (100) d'une dispersion de nanoparticules d'un matériau semi-conducteur (HND) sur une première électrode (E1) qui est disposée sur un substrat (S); l'étape de rayonnement (200) d'une lumière laser (L) sur la dispersion de nanoparticules d'un matériau semi-conducteur (HND) déposée pour former un cône mu (C1, C2) ayant une base et une pointe, la base du cône mu étant reliée à la première électrode (E1); l'étape d'intégrer (300) le cône mu (C1, C2) ainsi formé dans une matrice polymère électriquement isolante (P); et l'étape d'application (500) d'une deuxième électrode (E2) de sorte que la pointe du cône mu (C1, C2) est reliée à la deuxième électrode (E2).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)