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1. (WO2016150878) PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/150878 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/056044
Veröffentlichungsdatum: 29.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 18.03.2016
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0224
Elektroden
Anmelder:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Erfinder:
KRAUSS, Karin; DE
FERTIG, Fabian; DE
PREU, Ralf; DE
JÄGER, Ulrich; DE
WERNER, Sabrina; DE
REIN, Stefan; DE
Vertreter:
DICKER, Jochen; DE
Prioritätsdaten:
10 2015 104 236.320.03.2015DE
Titel (EN) PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE
(DE) PHOTOVOLTAISCHE SOLARZELLE
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a photovoltaic solar cell, comprising at least one semiconductor layer, at least one electrically insulating insulation layer and at least one metal contacting structure, wherein the insulation layer is arranged between the semiconductor layer and the contacting structure, and the insulation layer has a plurality of contacting recesses at which the contacting structure forms an electrical contact with the semiconductor layer in a contacting region, and wherein a respective doping region is formed in the semiconductor layer at least at the contacting regions by doping the semiconductor layer with a metal, from which metal the contacting structure is at least partially formed. The invention is characterised in that the contacting structure has a plurality of contact fingers, each of which extends over a number of contacting regions and/or along a number of contacting regions, wherein the contact fingers have a local cross-sectional area increase at the contacting regions.
(FR) L'invention concerne une cellule solaire photovoltaïque, avec au moins une couche semi-conductrice, au moins une couche d’isolation électriquement isolante et au moins une structure de mise en contact métallique, la couche d’isolation étant disposée entre la couche semi-conductrice et la structure de mise en contact tandis que la couche d’isolation comprend une pluralité de creux de contact au niveau desquels la structure de mise en contact forme un contact électrique avec la couche semi-conductrice dans une zone de mise en contact. Dans la couche semi-conductrice au moins au niveau de chaque zone de mise en contact est formée une zone de dopage par dopage de la couche semi-conductrice avec un métal avec lequel est formée au moins en partie la structure de mise en contact. L'invention est caractérisée en ce que la structure de mise en contact comprend une pluralité de doigts de contact qui s’étendent respectivement sur plusieurs zones de mise en contact et/ou le long de plusieurs zones de mise en contact, les doigts de contact présentant une surélévation locale transversalement à la surface au niveau des zones de mise en contact.
(DE) Die Erfindung betrifft eine photovoltaische Solarzelle, mit mindestens einer Halbleiterschicht, mindestens einer elektrisch isolierenden Isolierungsschicht und mindestens einer metallischen Kontaktierungsstruktur, wobei die Isolierungsschicht zwischen Halbleiterschicht und Kontaktierungsstruktur angeordnet ist und die Isolierungsschicht eine Mehrzahl von Kontaktierungsausnehmungen aufweist, an welchen die Kontaktierungsstruktur mit der Halbleiterschicht in einem Kontaktierungsbereich einen elektrischen Kontakt ausbildet und wobei in der Halbleiterschicht zumindest an den Kontaktierungsbereichen jeweils ein Dotierbereich durch Dotieren der Halbleitschicht mit einem Metall ausgebildet ist, aus welchem Metall die Kontaktierungsstruktur zumindest teilweise ausgebildet ist. Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kontaktierungsstruktur eine Mehrzahl von Kontaktfingern aufweist, welche Kontaktfinger sich jeweils über mehrere Kontaktierungsbereiche und/oder entlang mehrerer Kontaktierungsbereiche erstrecken, wobei die Kontaktfinger an den Kontaktierungsbereichen eine lokale Querschnittsflächenerhöhung aufweisen.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)