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1. (WO2016150840) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/150840 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/055937
Veröffentlichungsdatum: 29.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 18.03.2016
IPC:
H01S 5/16 (2006.01) ,H01S 5/02 (2006.01) ,H01S 5/32 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
10
Aufbau oder Form des optischen Resonators
16
Fenster-Typ-Laser [window-type laser], d.h. zwischen dem aktiven Gebiet und der Reflektoroberfläche befindet sich ein Gebiet aus nicht-absorbierendem Material
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
32
mit PN-Übergängen, z.B. Hetero- oder Doppelheterostrukturen
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder: LELL, Alfred; DE
KOENIG, Harald; DE
AVRAMESCU, Adrian Stefan; DE
Vertreter: PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 104 184.720.03.2015DE
Titel (EN) EDGE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION PAR LA TRANCHE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(DE) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
Zusammenfassung:
(EN) An edge-emitting semiconductor laser comprises a semiconductor structure, which has a layer sequence comprising layers overlapping along a direction of growth. The semiconductor structure is delimited laterally by a first facet (400) and a second facet (500). The semiconductor structure has a middle section (300) and a first edge section (410) adjacent to the first facet. The layer sequence is offset in the first edge section with respect to the middle section in the direction of growth (201). The semiconductor structure contains a substrate (100), a lower cladding layer (210), a lower waveguide layer (220), an active layer (230), an upper waveguide layer (240) and a top cladding layer (250). In the region of the facet, there is an electrically insulating intermediate layer (260), which prevents a current flow through the semiconductor structure in an edge section (410) of the facet (400).
(FR) L'invention concerne un laser à semi-conducteurs à émission par la tranche comprenant une structure semi-conductrice, qui comporte une série de couches superposées les unes sur les autres le long d’une direction de croissance. La structure semi-conductrice est limitée latéralement par une première facette (400) et une seconde facette (500). La structure semi-conductrice comprend un secteur central (300) et un premier secteur périphérique (410) contigu à la première facette. La série de couches est décalée dans la direction de croissance (201) dans le premier secteur périphérique par rapport au secteur central. La structure semi-conductrice contient un substrat (100), une couche de couverture inférieure (210), une couche guide d’ondes inférieure (220), une couche active (230), une couche guide d’ondes supérieure (240) et une couche de couverture supérieure (250). Dans la zone de la facette se trouve une couche intermédiaire électriquement isolante (260) qui empêche un flux de courant de traverser la structure semi-conductrice dans un secteur périphérique (410) de la facette (400).
(DE) Ein kantenemittierender Halbleiterlaser umfasst eine Halbleiterstruktur, die eine Schichtenfolge mit entlang einer Wachstumsrichtung übereinanderliegenden Schichten aufweist. Die Halbleiterstruktur ist seitlich durch eine erste Facette (400) und eine zweite Facette (500) begrenzt. Die Halbleiterstruktur weist einen Mittenabschnitt (300) und einen an die erste Facette angrenzenden ersten Randabschnitt (410) auf. Die Schichtenfolge ist im ersten Randabschnitt gegenüber dem Mittenabschnitt in Wachstumsrichtung (201) versetzt. Die Halbleiterstruktur beinhaltet ein Substrat (100), eine untere Mantelschicht (210), eine untere Wellenleiterschicht (220), eine aktive Schicht (230), eine obere Wellenleiterschicht (240) und eine obere Mantelschicht (250). Im Bereich der Facette befindet sich eine elektrisch isolierende Zwischenschicht (260) welche einen Stromfluss durch die Halbleiterstruktur in einem Randabschnitt (410) der Facette (400) verhindert.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)