WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2016150838) LASERDIODE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/150838 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2016/055928
Veröffentlichungsdatum: 29.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 18.03.2016
IPC:
H01S 5/223 (2006.01) ,H01S 5/20 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/32 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH[DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder: LELL, Alfred; DE
KOENIG, Harald; DE
AVRAMESCU, Adrian Stefan; DE
Vertreter: PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2015 104 206.120.03.2015DE
Titel (EN) LASER DIODE
(FR) DIODE LASER
(DE) LASERDIODE
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to a laser diode (1) comprising a layer arrangement with layers arranged on one another, wherein the layer arrangement comprises a first, a second and a third layer structure (15, 26, 27) comprising at least one active zone (18) and two waveguide layers (16, 17), wherein the active zone (18) is arranged between the two waveguide layers (16, 17), comprising a first layer structure (15), wherein the first layer structure extends along a Z-axis in a longitudinal direction, along an X-axis in a transverse direction and along a Y-axis in a height direction, comprising a second and a third layer structure (26, 27), which are arranged at opposing longitudinal sides of the first layer structure along the Z-axis and which adjoin the first layer structure (15), wherein the active zone of the first layer structure (15) is arranged offset in terms of height in relation to the active zones (18) of the second and third layer structures (26, 27). The active zone (18) is arranged between a p-contact (28) and an n-contact (56), wherein an intermediate layer (7) is arranged laterally to the first layer structure (15) in the second and third layer structures (26, 27), wherein the intermediate layer (7) is embodied as an electric barrier layer, which hinders or prevents a current from flowing, and wherein the intermediate layer (7) is arranged between the active zone (18) and the n-contact (56). The invention further relates to a method for producing the laser diode.
(FR) L'invention concerne une diode laser (1) présentant un ensemble de couches, pourvue de couches disposées les unes sur les autres, l'ensemble de couches comprenant une première, une deuxième et une troisième structure (15, 26, 27) à couches pourvues d'au moins une zone active (18) et de deux couches (16, 17) de guide d'ondes, la zone active (18) étant disposée entre les deux couches (16, 17) de guide d'ondes, présentant une première structure (15) à couches, la première structure à couches s'étendant le long d'un axe Z dans une direction longitudinale, le long d'un axe X dans une direction transversale et le long d'un axe Y dans une direction de la hauteur, présentant une deuxième et une troisième structure (26, 27) à couches, qui sont disposées le long de l'axe Z sur des côtés longitudinaux opposés de la première structure à couches et qui sont adjacentes à la première structure (15) à couches, la zone active de la première structure (15) à couches étant décalée en hauteur par rapport aux zones actives (18) de la deuxième et de la troisième structure (26, 27) à couches. La zone active (18) est disposée entre un contact p (28) et un contact n (56), une couche intermédiaire (7) étant disposée dans la deuxième et la troisième structure (26, 27) à couches, à côté de la première structure (15) à couches, la couche intermédiaire (7) étant réalisée comme une couche électriquement isolante, qui complique ou supprime le passage d'un courant électrique et la couche intermédiaire (7) étant disposée entre la zone active (18) et le contact n (56). L’invention concerne également un procédé de fabrication de la diode laser.
(DE) Die Erfindung betrifft eine Laserdiode (1) mit einer Schichtanordnung mit aufeinander angeordneten Schichten, wobei die Schichtanordnung eine erste, eine zweite und eine dritte Schichtstruktur (15, 26, 27) mit wenigstens einer aktiven Zone (18) und zwei Wellenleiterschichten (16, 17) umfasst, wobei die aktive Zone (18) zwischen den zwei Wellenleiterschichten (16, 17) angeordnet ist, mit einer ersten Schichtstruktur (15), wobei sich die erste Schichtstruktur entlang einer Z-Achse in einer Längsrichtung, entlang einer X-Achse in einer Querrichtung und entlang einer Y-Achse in einer Höhenrichtung erstreckt, mit einer zweiten und einer dritten Schichtstruktur (26, 27), die entlang der Z-Achse an gegenüberliegenden Längsseiten der ersten Schichtstruktur angeordnet sind, und an die erste Schichtstruktur (15) angrenzen, wobei die aktive Zone der ersten Schichtstruktur (15) in der Höhe versetzt gegenüber den aktiven Zonen (18) der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist. Die aktive Zone (18) ist zwischen einem p-Kontakt (28) und einem n-Kontakt (56) angeordnet, wobei seitlich der ersten Schichtstruktur (15) eine Zwischenschicht (7) in der zweiten und der dritten Schichtstruktur (26, 27) angeordnet ist, wobei die Zwischenschicht (7) als elektrisch sperrende Schicht ausgebildet ist, die einen Stromfluss erschwert oder unterbindet, und wobei die Zwischenschicht (7) zwischen der aktiven Zone (18) und dem n-Kontakt (56) angeordnet ist. Zudem betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung der Laserdiode.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)