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1. (WO2016150587) TRANSISTOR MIT INTEGRIERTEM GATE-SOURCE-WIDERSTAND
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/150587    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2016/051301
Veröffentlichungsdatum: 29.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 22.01.2016
IPC:
G01R 31/02 (2006.01), G01R 31/26 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: WOLTERING, Juergen; (DE).
DAVIES, Neil; (DE).
VON EMDEN, Walter; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2015 205 527.2 26.03.2015 DE
Titel (DE) TRANSISTOR MIT INTEGRIERTEM GATE-SOURCE-WIDERSTAND
(EN) TRANSISTOR COMPRISING AN INTEGRATED GATE-SOURCE RESISTOR
(FR) TRANSISTOR À RÉSISTANCE GRILLE-SOURCE INTÉGRÉE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Vorrichtung (1) mit einem Transistor (2) und einem integrierten Gate-Source Widerstand (3), dadurch gekennzeichnet, dass der integrierte Gate-Source- Widerstand (3) als Reihenschaltung eines ersten integrierten Widerstands (4) und eines zweiten integrierten Widerstands (5) ausgestaltet ist und ein Messpad, das über eine Verbindung, die zwischen dem ersten integrierten Widerstand (4) und dem zweiten integrierten Widerstand (5) angeordnet ist, elektrisch angebunden ist, wobei das Messpad außerhalb der Reihenschaltung des ersten integrierten Widerstands (4) und des zweiten integrierten Widerstands (5) auf einem Substrat der Vorrichtung (1) angeordnet ist.
(EN)Apparatus (1) comprising a transistor (2) and an integrated gate-source resistor (3), characterized in that the integrated gate-source resistor (3) is designed as a series circuit of a first integrated resistor (4) and a second integrated resistor (5), and in that a measuring pad is electrically connected via a connection located between the first integrated resistor (4) and the second integrated resistor (5), said measuring pad being arranged on a substrate of the apparatus (1), outside the series circuit of the first integrated resistor (4) and the second integrated resistor (5).
(FR)L'invention concerne un dispositif (1) doté d'un transistor (2) et d'une résistance grille-source intégrée (3), caractérisé en ce que la résistance grille-source intégrée (3) est conçue sous forme de montage en série d'une première résistance intégrée (4) et d'une deuxième résistance intégrée (5) et en ce qu'un tampon de mesure est raccordé électriquement par l'intermédiaire d'une ligne qui est disposée entre la première résistance intégrée (4) et la deuxième résistance intégrée (5), le tampon de mesure étant disposé sur un substrat du dispositif (1) en dehors du montage en série de la première résistance intégrée (4) et de la deuxième résistance intégrée (5).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)