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1. (WO2016146457) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   
TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/146457    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2016/055045
Veröffentlichungsdatum: 22.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 09.03.2016
IPC:
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: RUDOLPH, Andreas; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2015 104 144.8 19.03.2015 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERKÖRPERS
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR BODY
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper (100) mit einem Träger (13) und einer auf dem Träger (13) aufgebrachten Halbleiterschichtenfolge (1) angegeben. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist eine erste Schicht (10) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Schicht (12) eines zweiten Leitfähigkeitstyps und eine zwischen der ersten (10) und der zweiten Schicht (12) angeordnete aktive Schicht (11) auf, wobei die erste Schicht (10) dem Träger (13) zugewandt ist und wobei die aktive Schicht (11) im bestimmungsgemäßen Betrieb elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert. Ferner weist der Halbleiterkörper (100) zumindest eine Durchkontaktierung (2) auf, die sich ausgehend vom Träger (13) vollständig durch die erste Schicht (10) und die aktive Schicht (11) erstreckt und sich zumindest teilweise durch die zweite Schicht (12) erstreckt. Im Betrieb des Halbleiterkörpers (100) werden zweite Ladungsträger über die Durchkontaktierung (2) in die zweite Schicht (12) injiziert. Die Durchkontaktierung (2) ist dabei im Bereich der aktiven Schicht (11) und der ersten Schicht (10) lateral vollständig von einer durchgehenden und zusammenhängenden Bahn der aktiven Schicht (11) und der ersten Schicht (10) umgeben. Ferner ist die Durchkontaktierung (2) aus einem Halbleitermaterial gebildet. Der Träger (13) ist das Aufwachssubstrat für die Halbleiterschichtenfolge (1).
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor body (100) having a substrate (13) and a semiconductor layer sequence (1) applied to the substrate (13). The semiconductor layer sequence (1) has a first layer (10) of a first conductivity type, a second layer (12) of a second conductivity type, and an active layer (11) arranged between the first (10) and the second layer (12), wherein the first layer (10) is facing the substrate (13) and wherein during correct operation the active layer (11) produces or absorbs electromagnetic radiation. Furthermore, the semiconductor body (100) has at least one through connection (2), which extends from the substrate (13) completely through the first layer (10) and the active layer (11) and extends at least partially through the second layer (12). During operation of the semiconductor body (100) second charge carriers are being injected via the through connection (2) into the second layer (12). In this case in the region of the active layer (11) and of the first layer (10) the through connection (2) is surrounded laterally completely by a continuous and cohesive length of the active layer (11) and the first layer (10). Furthermore, the through connection (2) is formed from a semiconductor material. The substrate (13) is the growth substrate for the semiconductor layer sequence (1).
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique (100) avec un support (13) et une série de couches semi-conductrices (1) déposées sur le support (13). La série de couches semi-conductrices (1) comprend une première couche (10) d’un premier type de conductivité, une seconde couche (12) d’un second type de conductivité et une couche active (11) disposée entre la première (10) et la seconde couche (12), la première couche (10) étant tournée vers le support (13) tandis que, en fonctionnement normal, la couche active (11) génère ou absorbe un rayonnement électromagnétique. Par ailleurs, le composant semi-conducteur (100) comprend au moins un trou d’interconnexion (2) qui s’étend depuis le support (13) entièrement à travers la première couche (10) et la couche active (11) et s’étend au moins en partie à travers la seconde couche (12). Lors du fonctionnement du composant semi-conducteur (100), des seconds porteurs de charge sont injectés dans la seconde couche (12) par le biais du trou d’interconnexion (2). Selon l’invention, dans le secteur de la couche active (11) et de la première couche (10), le trou d’interconnexion (2) est complètement entouré latéralement par une piste traversante et contigüe de la couche active (11) et de la première couche (10). Le trou d’interconnexion (2) est formé en outre d’un matériau semi-conducteur. Le support (13) est le substrat de croissance pour la série de couches semi-conductrices (1).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)