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1. (WO2016146323) CHIPANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG EINER KONTAKTVERBINDUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/146323    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2016/053169
Veröffentlichungsdatum: 22.09.2016 Internationales Anmeldedatum: 15.02.2016
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/488 (2006.01), B23K 26/20 (2014.01)
Anmelder: PAC TECH - PACKAGING TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Am Schlangenhorst 15-17 14641 Nauen (DE)
Erfinder: LÜDEKE, Heinrich; (DE).
GEELHAAR, Ricardo; (DE)
Vertreter: ADVOTEC. PATENT- UND RECHTSANWÄLTE; Beethovenstr. 5 97080 Würzburg (DE)
Prioritätsdaten:
10 2015 103 779.3 16.03.2015 DE
Titel (DE) CHIPANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR AUSBILDUNG EINER KONTAKTVERBINDUNG
(EN) CHIP ASSEMBLY AND METHOD FOR FORMING A CONTACT CONNECTION
(FR) ENSEMBLE DE PUCES ET PROCÉDÉ SERVANT À RÉALISER UN RACCORDEMENT DE CONTACT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Chipanordnung (10) sowie ein Verfahren zur Ausbildung einer Kontaktverbindung (11) zwischen einem Chip (18), insbesondere Leistungstransistor oder dergleichen, und einer Leitermaterialbahn (14), wobei die Leitermaterialbahn auf einem nichtleitenden Substrat (12) ausgebildet wird, wobei der Chip auf dem Substrat oder einer Leitermaterialbahn (15) angeordnet wird, wobei jeweils auf einer Chipkontaktfläche (25) des Chips und der Leitermaterialbahn (28) eine Silberpaste (29) oder eine Kupferpaste aufgebracht wird, wobei ein Kontaktleiter (30) in die Silberpaste oder die Kupferpaste auf der Chipkontaktfläche und in die Silberpaste oder die Kupferpaste auf der Leitermaterialbahn eingetaucht wird, wobei ein in der Silberpaste oder der Kupferpaste enthaltenes Lösungsmittel durch Erwärmen zumindest teilweise verdampft wird, wobei die Kontaktverbindung dadurch ausgebildet wird, dass die Silberpaste oder die Kupferpaste mittels Laserenergie gesintert wird.
(EN)The invention relates to a chip arrangement (10) and a method for forming a contact connection (11) between a chip (18), in particular a power transistor or the like, and a conductor material strip (14), said conductor material strip being formed on a non-conductive substrate (12) and the chip being arranged on the substrate or on a conductor material strip (15). A silver paste (29) or copper paste is applied to a chip contact surface (25) of the chip and of the conductor material strip (28), a contact conductor (30) is dipped into the silver paste or the copper paste on the chip contact surface and into the silver paste or the copper paste on the conductor material strip, and a solvent contained in the silver paste or the copper paste is at least partially evaporated by heating. The silver paste or the copper paste is then sintered by means of laser energy, thereby forming the contact connection.
(FR)L'invention concerne un ensemble de puces (10) ainsi qu'un procédé servant à réaliser un raccordement de contact (11) entre une puce (18), en particulier un transistor de puissance ou similaire, et une bande de matériau conducteur (14). La bande de matériau conducteur est réalisée sur un substrat (12) non conducteur. La puce est disposée sur le substrat ou sur une bande de matériau conducteur (15). Une pâte d'argent (29) ou une pâte de cuivre est appliquée respectivement sur une surface de contact de puce (25) de la puce et sur la bande de matériau conducteur (28). Un conducteur de contact (30) est plongé dans la pâte d'argent ou dans la pâte de cuivre de la surface de contact de puce et dans la pâte d'argent ou dans la pâte de cuivre de la bande de matériau conducteur. Un solvant contenu dans la pâte d'argent ou dans la pâte de cuivre est évaporé au moins en partie par un réchauffement. Le raccordement de contact est réalisé en ce que la pâte d'argent ou la pâte de cuivre est frittée au moyen d'une énergie de laser.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)