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1. (WO2016102684) VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINES ORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/102684    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2015/081192
Veröffentlichungsdatum: 30.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 23.12.2015
IPC:
H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/52 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OLED GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstraße 2 93049 Regensburg (DE)
Erfinder: ROSENBERGER, Johannes; (DE).
FLEISSNER, Arne; (DE).
RIEDEL, Daniel; (DE).
RIEGEL, Nina; (DE).
SCHARNER, Silke; (DE).
WEHLUS, Thomas; (DE)
Vertreter: VIERING, JENTSCHURA & PARTNER MBB; Grillparzerstr. 14 81675 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 119 535.3 23.12.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINES ORGANISCHEN OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR FORMING AN ORGANIC OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Ausbilden eines organischen optoelektronischen Bauelements (1) bereitgestellt. Bei dem Verfahren wird ein Substrat bereitgestellt, das mindestens eine erste elektrisch leitfähige Elektrodenschicht (14) aufweist. Eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) wird über der ersten elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht (14 ) ausgebildet. Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) wird eine Schattenmaske (50) angeordnet. Die Schattenmaske (50) wird so mit elektromagnetischer Strahlung (58) bestrahlt, dass ein erster Teilbereich (46) der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) von der Schattenmaske (50) abgeschattet und nicht bestrahlt wird und dass ein durch die Schattenmaske (50) vorgegebener zweiter Teilbereich (48) der organischen funktione1len Schichtenstruktur (22) derart mit der elektromagnetischen Strahlung (58) bestrahlt wird, dass das Material der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) in dem zweiten Teilbereich (48) verdampft. Eine zweite Elektrode (23 ) wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) in dem ersten Teilbereich ausgebildet.
(EN)The invention relates to a method for forming an organic optoelectronic component (1), which method is provided in various exemplary embodiments. In the method, a substrate is provided which has at least one first electrically conductive electrode layer (14). An organic functional layer structure (22) is formed above the first electrically conductive electrode layer (14). A shadow mask (50) is arranged above the organic functional layer structure (22). The shadow mask (50) is irradiated with electromagnetic radiation (58) in such a way that a first sub-region (46) of the organic functional layer structure (22) is shaded by the shadow mask (50) and not irradiated, and a second sub-region (48) of the organic functional layer structure (22), predetermined by means of the shadow mask (50), is irradiated with electromagnetic radiation (58) such that the material of the organic functional layer structure (22) in the second sub-region (48) evaporates. A second electrode (23) is formed above the organic functional layer structure (22) in first sub-region.
(FR)Différents modes de réalisation donnés à titre d’exemple se rapportent à un procédé de formation d’un composant optoélectronique organique (1). Ledit procédé consiste à : utiliser un substrat qui comprend au moins une première couche d’électrode électroconductrice (14) ; former une structure en couches fonctionnelle organique (22) au-dessus de la première couche d’électrode électroconductrice (14) ; disposer sur la structure en couches fonctionnelle organique (22) un masque d’ombre (50) ; irradier le masque d’ombre (50) avec un rayonnement électromagnétique (58) de sorte qu’un premier sous-secteur (46) de la structure de couche fonctionnelle organique (22) est caché par le masque d’ombre (50) et n’est pas irradié et de sorte qu’un deuxième sous-secteur (48), prédéfini par le masque d’ombre (50), de la structure de couche fonctionnelle organique (22) est irradié avec le rayonnement électromagnétique (58) de sorte que le matériau de la structure en couches fonctionnelle organique (22) est vaporisé dans le deuxième sous-secteur (48) ; et former une deuxième électrode (23) au-dessus de la structure en couches fonctionnelle organique (22) dans le premier sous-secteur.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)