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1. (WO2016102183) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN IN EINEM MESSMEDIUM SOWIE VERFAHREN UND GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN IN EINEM MESSMEDIUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/102183    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/078959
Veröffentlichungsdatum: 30.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 08.12.2015
IPC:
G01N 27/407 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: LIEMERSDORF, Dirk; (DE).
KUNZ, Denis; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 226 804.4 22.12.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN IN EINEM MESSMEDIUM SOWIE VERFAHREN UND GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN IN EINEM MESSMEDIUM
(EN) METHOD FOR PRODUCING A GAS SENSOR DEVICE FOR SENSING AT LEAST ONE GASEOUS ANALYTE IN A MEASUREMENT MEDIUM, AND METHOD AND GAS SENSOR DEVICE FOR SENSING AT LEAST ONE GASEOUS ANALYTE IN A MEASUREMENT MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE GAZ POUR DÉTECTER AU MOINS UN ANALYTE GAZEUX DANS UN MILIEU DE MESURE AINSI QUE PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE DÉTECTION D’AU MOINS UN ANALYTE GAZEUX DANS UN MILIEU DE MESURE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Gassensorvorrichtung (100) zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium (M). Das Verfahren umfasst einen Schritt des Bearbeitenseines ersten Halbleitersubstrats (101) und eines zweiten Halbleitersubstrats (102) unter Verwendung zumindest eines Trennprozesses und zumindest eines Beschichtungsprozesses, um Ausnehmungsabschnitte, Festelektrolytschichten und Elektrodenin demersten Halbleitersubstrat (101) und dem zweiten Halbleitersubstrat (102) zu erzeugen. Auch weist das Verfahren einen Schritt des Zusammenfügens des ersten Halbleitersubstrats (101) und des zweiten Halbleitersubstrats (102) auf, um zwischendem ersten Halbleitersubstrat (101) und dem zweiten Halbleitersubstrat (102) eine Einstellkammer (111) zum Einstellen einer Gaszusammensetzung des Messmediums (M), eine Erfassungskammer (112) zum Erfassen des gasförmigen Analyten und einen Diffusionsabschnitt (113) zum Steuern einer Diffusion des Messmediums (M) zwischen der Einstellkammer (111) und der Erfassungskammer (112) zu erzeugen.
(EN)The invention relates to a method for producing a gas sensor device (100) for sensing at least one gaseous analyte in a measurement medium (M). The method comprises a step of processing a first semiconductor substrate (101) and a second semiconductor substrate (102) by using at least one separating process and at least one coating processing in order to produce cut-out segments, solid electrolyte layers, and electrodes in the first semiconductor substrate (101) and the second semiconductor substrate (102). The method also comprises a step of joining the first semiconductor substrate (101) and the second semiconductor substrate (102) in order to produce between the first semiconductor substrate (101) and the second semiconductor substrate (102) a setting chamber (111) for setting a gas composition of the measurement medium (M), a sensing chamber (112) for sensing the gaseous analyte, and a diffusion segment (113) for controlling diffusion of the measurement medium (M) between the setting chamber (111) and the sensing chamber (112).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de détection de gaz (100) destiné à détecter au moins un analyte gazeux dans un milieu de mesure (M). Le procédé comprend une étape consistant à traiter un premier substrat semi-conducteur (101) et un second substrat semi-conducteur (102) à l’aide d’au moins un procédé de séparation et d’au moins un procédé de revêtement pour générer des parties évidées, des couches d'électrolyte solide et des électrodes dans le premier substrat semi-conducteur (101) et le second substrat semi-conducteur (102). En outre, le procédé comprend une étape consistant à assembler le premier substrat semi-conducteur (101) et le second substrat semi-conducteur (102) pour générer entre le premier substrat semi-conducteur (101) et le second substrat semi-conducteur (102), une chambre de réglage (111) destinée à régler une composition gazeuse du milieu de mesure (M), une chambre de détection (112) destinée à détecter l'analyte gazeux et une section de diffusion (113) destinée à commander la diffusion du milieu de mesure (M) entre la chambre de réglage (111) et la chambre de détection (112).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)