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1. (WO2016095885) TUNNEL-FELDEFFEKTTRANSISTOR SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/095885    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2015/000531
Veröffentlichungsdatum: 23.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 04.11.2015
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    28.09.2016    
IPC:
H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01)
Anmelder: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; 52425 Jülich (DE)
Erfinder: ZHAO, Qing-Tai; (DE).
MANTL, Siegfried; (DE).
BLAESER, Sebastian; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 018 382.3 15.12.2014 DE
Titel (DE) TUNNEL-FELDEFFEKTTRANSISTOR SOWIE VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) TUNNEL FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À EFFET TUNNEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Der erfindungsgemäße Tunnel-Feldeffekttransistor (TFET) weist insbesondere zwei Vorteile gegenüber dem bisherigen Stand der Technik auf. Zum einen werden eine verkürzte Tunnelbarriere und damit ein verkürzter Tunnelübergang bereitgestellt. Dies wird dadurch bewerkstelligt, dass im Sourcebereich einerseits eine Silizidierung und zudem eine Dotierstoffsegregation vorgesehen sind, die eine steilere Tunnelflanke bewirken. Andererseits wird durch eine selektive und selbst justierende Silizidierung die Tunnelfläche selbst vergrößert, wobei bei dem erfindungsgemäßen Tunnel-Feldeffekttransistor (TFET) ein Tunnelübergang vorgesehen ist, der parallel zu den elektrischen Feldlinien des Gates verläuft. Der erfindungsgemäße Tunnel-Feldeffekttransistor (TFET) verbindet somit einen Tunnelübergang parallel zu den elektrischen Feldlinien des Gates mit einem vergrößerten Tunnelbereich unterhalb des Gates mit einem Material, welches eine schmalere Bandlücke aufweist. Das erfindungsgemäße Verfahren zur Herstellung des TFETs umfasst eine selektive, selbstjustierende Silizierung und zudem eine Dotierstoffsegregation. Durch diese Schritte wird es möglich, den Tunnelübergang auf wenige Nanometer genau reproduzierbar herzustellen.
(EN)The invention relates to a tunnel field-effect transistor (TFET) having, in particular, two advantages over the prior art. First, a shortened tunnel barrier and thus a shortened tunnel junction are provided. This is effected in that silicidation and additionally dopant segregation are provided in the source region, which bring about a steeper tunnel edge. Second, the tunnel surface itself is enlarged by means of selective and self-adjusting silicidation, wherein, in the case of the tunnel field-effect transistor (TFET) according to the invention, a tunnel junction that extends parallel to the electric field lines of the gate is provided. The tunnel field-effect transistor (TFET) according to the invention thus combines a tunnel junction parallel to the electric field lines of the gate and having an enlarged tunnel region below the gate with a material that has a narrower band gap. The method according to the invention for producing the TFET comprises selective, self-adjusting silicidation and additionally dopant segregation. These steps make it possible to produce the tunnel junction reproducibly with an accuracy of a few nanometers.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ à effet tunnel (TFET) qui présente en particulier deux avantages par rapport à l'état de la technique. Le premier avantage est d'obtenir une barrière tunnel plus courte et donc une jonction à effet tunnel plus courte. Il est possible d'y arriver en prévoyant d'une part une siliciuration et d'autre part une ségrégation des dopants dans la zone de source, qui permettent d'obtenir un flanc de tunnel plus escarpé. Le deuxième avantage est d'agrandir automatiquement une siliciuration sélective et à ajustement automatique de la surface du tunnel, le transistor à effet de champ à effet tunnel (TFET) selon l'invention étant pourvue d'une jonction à effet tunnel qui est parallèle aux lignes de champ électriques de la barrière. Le transistor à effet de champ à effet tunnel (TFET) selon l'invention relie ainsi une jonction à effet tunnel parallèle aux lignes de champ électriques de la barrière avec une zone de tunnel agrandie sous la barrière avec un matériau, qui présente un écart plus étroit. Le procédé permettant de fabriquer un TFET selon l'invention comprend une siliciuration sélective et à ajustement automatique et une ségrégation des dopants. En suivant ces étapes, il est possible de reproduire exactement à quelques nanomètres près la jonction à effet tunnel.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)