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1. (WO2016091759) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERBAUELEMENTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/091759    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2015/078708
Veröffentlichungsdatum: 16.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 04.12.2015
IPC:
H01L 33/48 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: SCHWARZ, Thomas; (DE).
SINGER, Frank; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 118 349.5 10.12.2014 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MEHRZAHL VON HALBLEITERBAUELEMENTEN
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ D'ÉLÉMENTS SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben mit - einem Halbleiterchip (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; - einer Strahlungsaustrittsfläche (10), die parallel zum aktiven Bereich verläuft; - einer Mehrzahl von Seitenflächen (11), die schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsfläche verlaufen; - einem Formkörper (4), der stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist; wobei - eine der Seitenflächen als eine Montageseitenfläche (110) für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist; - eine Kontaktbahn (55), die den Halbleiterchip mit einer Kontaktfläche (51) für die externe elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements elektrisch leitend verbindet, stellenweise auf einer der Seitenflächen verläuft; und - eine von der Strahlungsaustrittsfläche abgewandte Rückseite (202) des Halbleiterchips frei von Material des Formkörpers ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen angegeben.
(EN)An optoelectronic semiconductor component (1) is specified, comprising – a semiconductor chip (2) comprising a semiconductor layer sequence (200) having an active region (20) provided for generating radiation; – a radiation exit surface (10) running parallel to the active region; – a plurality of side surfaces (11) running obliquely or perpendicularly to the radiation exit surface; – a molded body (4) molded onto the semiconductor chip in places; wherein – one of the side surfaces is provided as a mounting side surface (110) for securing the semiconductor component; – a contact track (55) that electrically conductively connects the semiconductor chip to a contact pad (51) for the external electrical contacting of the semiconductor component runs on one of the side surfaces in places; and – a rear side (202) of the semiconductor chip facing away from the radiation exit surface is free of material of the molded body. Furthermore, a method for producing semiconductor components is specified.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur (1) optoélectronique, qui comporte: – une puce semi-conductrice (2) qui présente une succession de couches (200) semi-conductrices présentant une zone (20) active destinée à générer un rayonnement ; – une surface de sortie (10) du rayonnement, qui est parallèle à la zone active ; – une pluralité de surfaces latérales (11), qui s'étendent de manière inclinée ou perpendiculaire à la surface de sortie du rayonnement ; et – un corps façonné (4), qui est formé d'un seul tenant par endroits sur la puce semi-conductrice. Selon l'invention, – une des surfaces latérales est conçue comme surface latérale de montage (110) pour la fixation des éléments semi-conducteurs ; – une piste de contact (55), qui relie de manière électriquement conductrice la puce semi-conductrice à une surface de contact (51) pour le contact électrique externe de l'élément semi-conducteur, s'étend par endroits sur une des surfaces latérales ; et – une face arrière (202), opposée à la surface de sortie de rayonnement, de la puce semi-conductrice, est exempte du matériau du corps façonné. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'éléments semi-conducteurs.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)