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1. (WO2016087444) STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/087444    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2015/078221
Veröffentlichungsdatum: 09.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 01.12.2015
IPC:
H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: SCHWARZ, Thomas; (DE).
SINGER, Frank; (DE).
ILLEK, Stefan; (DE).
ZITZLSPERGER, Michael; (DE).
GÖÖTZ, Britta; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss Nr. 175 Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 117 764.9 03.12.2014 DE
Titel (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) RADIATION-EMITTING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ÉMETTEUR DE RAYONNEMENTS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (S), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht (R) tritt, einer ersten Barriereschicht (1), die an einer Oberseite der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) angeordnet ist und dort zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) steht, einem Konversionselement (3), welches an der der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) abgewandten Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, einer zweiten Barriereschicht (2), die an der der ersten Barriereschicht (1) abgewandten Oberseite des Konversionselements (3) und an der Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, wobei die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) das Konversionselement (3) gemeinsam vollständig umschließen, und die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) stellenweise in direktem Kontakt miteinander stehen.
(EN)The invention relates to a radiation-emitting optoelectronic semiconductor component, comprising a radiation passage surface (S), through which light (R) produced during the operation of the semiconductor component passes, a first barrier layer (1), which is arranged on a top side of the radiation passage surface (S) and is in direct contact with the radiation passage surface (S) there at least at some points, a conversion element (3), which is arranged on the top side of the first barrier layer (1) facing away from the radiation passage surface (S), a second barrier layer (2), which is arranged on the top side of the conversion element (3) facing away from the first barrier layer (1) and on the top side of the first barrier layer (1), wherein the first barrier layer (1) and the second barrier layer (2) together completely enclose the conversion element (3), and the first barrier layer (1) and the second barrier layer (2) are in direct contact with each other at some points.
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur optoélectronique émetteur de rayonnements qui comprend : une surface de passage de rayonnements (S) par laquelle sort une lumière (R) générée lors du fonctionnement du composant semi-conducteur ; une première couche barrière (1) qui est disposée sur une face supérieure de la surface de passage de rayonnement (S) et est là au moins par secteurs en contact direct avec la surface de passage de rayonnement (S) ; un élément de conversion (3) qui est disposé sur la face supérieure, opposée à la surface de passage de rayonnement (S), de la première couche barrière (1) ; une seconde couche barrière (2) qui est disposée sur la face supérieure, opposée à la première couche barrière (1), de l’élément de conversion (3) et sur la face supérieure de la première couche barrière (1), la première couche barrière (1) et la seconde couche barrière (2) enfermant ensemble intégralement l’élément de conversion (3) tandis que la première couche barrière (1) et la seconde couche barrière (2) sont en contact direct par secteurs.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)