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1. (WO2016087284) LEUCHTDIODENCHIP MIT TEMPERATURKOMPENSATION DER WELLENLÄNGE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/087284    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2015/077661
Veröffentlichungsdatum: 09.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 25.11.2015
IPC:
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: RUDOLPH, Andreas; (DE).
SUNDGREN, Petrus; (DE).
TÅNGRING, Ivar; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 117 611.1 01.12.2014 DE
Titel (DE) LEUCHTDIODENCHIP MIT TEMPERATURKOMPENSATION DER WELLENLÄNGE
(EN) LIGHT-EMITTING DIODE CHIP HAVING TEMPERATURE COMPENSATION OF THE WAVELENGTH
(FR) PUCE DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE AVEC COMPENSATION DE TEMPÉRATURE POUR LA LONGUEUR D’ONDE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: - einen p-Typ-Halbleiterbereich (4), - einen n-Typ-Halbleiterbereich (6), - eine zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (6) angeordnete aktive Schicht (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei - die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) von abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist, - die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine elektronische Bandlücke (E QW2) aufweist, die kleiner als die elektronische Bandlücke (E QW1) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist, - die mindestens eine zweite Barriereschicht (52B) eine elektronische Bandlücke (E B2) aufweist, die größer als die elektronische Bandlücke (E B1) der ersten Barriereschichten (51B) ist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (10), comprising: a p-type semiconductor region (4), an n-type semiconductor region (6), an active layer (5), which is arranged between the p-type semiconductor region (4) and the n-type semiconductor region (6) and which is designed as a multiple quantum well structure (51, 52), wherein the multiple quantum well structure (51, 52) has a first region (51) of alternating first quantum well layers (51A) and first barrier layers (51B) and a second region having at least one second quantum well layer (52A) and at least one second barrier layer (52B), the at least one second quantum well layer (52A) has an electronic band gap (E QW2) that is less than the electronic band gap (E QW1) of the first quantum well layers (51A), the at least one second barrier layer (52B) has an electronic band gap (E B2) that is greater than the electronic band gap (E B1) of the first barrier layers (51B).
(FR)L'invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (10) comportant : - une zone semi-conductrice de type P (4), - une zone semi-conductrice de type N (6), - une couche active (5) disposée entre la zone semi-conductrice de type P (4) et la zone semi-conductrice de type N (6) et formée en tant que structure avec de multiples puits quantiques (51, 52), et caractérisée en ce que : - la structure avec de multiples puits quantiques (51, 52) comprend une première zone (51) de premières couches de puits quantique (51A) et de premières couches barrières (51B) en alternance ainsi qu’une deuxième zone ayant au moins une deuxième couche de puits quantique (52A) et au moins une deuxième couche barrière (52B), - la ou les deuxièmes couches de puits quantique (52A) présentent un écart énergétique électronique (E QW2) qui est inférieur à l’écart énergétique électronique (E QW1) des premières couches de puits quantique (51A), - la ou les deuxièmes couches barrières (52B) présentent un écart énergétique électronique (E B2) qui est supérieur à l’écart énergétique électronique (E B1) des premières couches barrières (51B).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)