WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2016087100) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN UND GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/087100    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2015/073463
Veröffentlichungsdatum: 09.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 09.10.2015
IPC:
G01N 27/407 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: WIDENMEYER, Markus; (DE).
LETSCH, Andreas; (DE).
KUNZ, Denis; (DE).
ROELVER, Robert; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 224 587.7 02.12.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN UND GASSENSORVORRICHTUNG ZUM ERFASSEN ZUMINDEST EINES GASFÖRMIGEN ANALYTEN
(EN) METHOD FOR PRODUCING A GAS SENSOR DEVICE FOR DETECTING AT LEAST ONE GASEOUS ANALYTE, AND GAS SENSOR DEVICE FOR DETECTING AT LEAST ONE GASEOUS ANALYTE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE DÉTECTION DE GAZ POUR DÉTECTER AU MOINS UN ANALYTE GAZEUX ET DISPOSITIF DE DÉTECTION DE GAZ POUR DÉTECTER AU MOINS UN ANALYTE GAZEUX
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Gassensorvorrichtung (100) zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten. Das Verfahren weist einen Schritt des Bereitstellens eines Sensorgrundkörpers (110) auf, der ein Halbleitersubstrat (112), in dem zumindest ein Kavitätsabschnitt (114) ausgeformt ist, und eine an einer ersten Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats (112) angeordnete Festelektrolytschicht (116) aufweist. Dabei ist die Festelektrolytschicht (116) in dem zumindest einen Kavitätsabschnitt (114) durch das Halbleitersubstrat (112) unbedeckt. Auch weist das Verfahren einen Schritt des Erzeugens einer trockenchemisch abgeschiedenen Signalleiterschicht (120) an einer Halbleitersubstratseite des Sensorgrundkörpers (110) auf, sodass im Bereich der in dem zumindest einen Kavitätsabschnitt (114) durch das Halbleitersubstrat (112) unbedeckten Festelektrolytschicht (116) zumindest ein Aussparungsabschnitt in der Signalleiterschicht (120) ausgeformt ist, in dem die Signalleiterschicht (120) entfernt oder unabgeschieden ist. Ferner weist das Verfahren einen Schritt des Aufbringens zumindest zweier Messelektroden (130, 140) auf die Festelektrolytschicht (116) mittels eines nasschemischen Prozesses auf. Hierbei wird eine erste Messelektrode (130) in dem zumindest einen Aussparungsabschnitt der Signalleiterschicht (120) angeordnet und wird eine zweite Messelektrode (140) auf einer Festelektrolytschichtseite des Sensorgrundkörpers (110) angeordnet.
(EN)The invention relates to a method for producing a gas sensor device (100) for detecting at least one gaseous analyte. The method comprises a step of providing a sensor main body (110) comprising a semiconductor substrate (112), in which at least one cavity section (114) is shaped, and a solid electrolyte layer (116) arranged at a first main surface of the semiconductor substrate (112). In this case, the solid electrolyte layer (116) is not covered by the semiconductor substrate (112) in the at least one cavity section (114). Moreover, the method comprises a step of producing a signal conductor layer (120) deposited dry-chemically at a semiconductor substrate side of the sensor main body (110), such that, in the region of the solid electrolyte layer (116) not covered by the semiconductor substrate (112) in the at least one cavity section (114), at least one cutout section is shaped in the signal conductor layer (120), in which the signal conductor layer (120) is removed or not deposited. Furthermore, the method comprises a step of applying at least two measuring electrodes (130, 140) to the solid electrolyte layer (116) by means of a wet-chemical process. In this case, a first measuring electrode (130) is arranged in the at least one cutout section of the signal conductor layer (120) and a second measuring electrode (140) is arranged on a solid electrolyte layer side of the sensor main body (110).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de détection de gaz (100) destiné à détecter au moins un analyte gazeux. Le procédé comprend une étape consistant à produire un corps de base de capteur (110) qui comporte un substrat semi-conducteur (112), dans lequel est formée au moins une partie de cavité (114), et une couche d'électrolyte solide (116) disposée sur une première surface principale du substrat semi-conducteur (112). Dans l’au moins une partie de cavité (114), la couche d'électrolyte solide (116) n’est pas recouverte par le substrat semi-conducteur (112). En outre, le procédé comprend une étape consistant à générer une couche de conduction de signal (120), déposée par un procédé chimique par voie sèche, du côté substrat semi-conducteur du corps de base de capteur (110) de telle sorte que dans la zone de la couche d'électrolyte solide (116), qui n’est pas recouverte par le substrat semi-conducteur dans l’au moins une partie de cavité (114), au moins une partie évidée, dans laquelle la couche de conduction de signal (120) est retirée ou non séparée, est formée dans la couche de conduction de signal (120). En outre, le procédé comprend une étape consistant à appliquer au moins deux électrodes de mesure (130, 140) sur la couche d'électrolyte solide (116) au moyen d'un procédé chimique par voie humide. Une première électrode de mesure (130) est disposée dans l’au moins une partie évidée de la couche de conduction de signal (120) et une seconde électrode de mesure (140) est disposée du côté couche d'électrolyte solide du corps de base de capteur (110).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)