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1. (WO2016083448) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS, KONVERSIONSELEMENT UND LEUCHTSTOFF FÜR EIN KONVERSIONSELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/083448    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2015/077637
Veröffentlichungsdatum: 02.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 25.11.2015
IPC:
H01L 33/50 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnitzstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: WINDISCH, Reiner; (DE).
SORG, Jörg Erich; (DE).
WIRTH, Ralph; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Prioritätsdaten:
102014117448.8 27.11.2014 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS, KONVERSIONSELEMENT UND LEUCHTSTOFF FÜR EIN KONVERSIONSELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR FABRICATING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP, CONVERSION ELEMENT AND LUMINESCENT MATERIAL FOR A CONVERSION ELEMENT
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE, ÉLÉMENT DE CONVERSION ET SUBSTANCE LUMINESCENTE POUR UN ÉLÉMENT DE CONVERSION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip miteinem Halbleiterkörper (1), der dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche (3) auszusenden,angegeben. Außerdem umfasst der Halbleiterchip ein keramischesoder einkristallines Konversionsplättchen (6), das dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten Wellenlängenbereichverschieden ist undeine wellenlängenkonvertierende Fügeschicht (7), die das Konversionsplättchen (6) mit der Strahlungsaustrittsfläche (3) verbindet, wobeidie wellenlängenkonvertierende Fügeschicht (7) Leuchtstoffpartikel (4) aufweist, die dazu geeignet sind, Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs in Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, der von dem ersten Wellenlängenbereich und dem zweiten Wellenlängenbereich verschieden ist. Die wellenlängenkonvertierende Fügeschicht (7) weist darüber hinaus eine Dicke von maximal 30 Mikrometer auf. Es werdenein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips, ein weiterer Halbleiterchip, Konversionselement und Leuchtstoffangegeben.
(EN)An optoelectronic semiconductor chip having a semiconductor body (1) that is suitable for emitting electromagnetic radiation in a first wavelength range from a radiation exit face (3) is specified. Furthermore, the semiconductor chip comprises a ceramic or monocrystalline conversion platelet (6) that is suitable for converting electromagnetic radiation in the first wavelength range into electromagnetic radiation in a second wavelength range, which is different from the first wavelength range, and a wavelength-converting joining layer (7) that connects the conversion platelet (6) to the radiation exit face (3), wherein the wavelength-converting joining layer (7) has luminescent material particles (4) that are suitable for converting radiation in the first wavelength range into radiation in a third wavelength range, which is different from the first wavelength range and the second wavelength range. The wavelength-converting joining layer (7) furthermore has a thickness of no more than 30 micrometres. A method for fabricating an optoelectronic semiconductor chip, a further semiconductor chip, conversion element and luminescent material are specified.
(FR)La présente invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique présentant un corps à semiconducteur (1) qui convient pour envoyer un rayonnement électromagnétique d'une première plage de longueurs d'onde à partir d'une surface de sortie de rayonnement (3). De plus, la puce semi-conductrice comprend une plaquette de conversion (6) céramique ou monocristalline qui convient pour convertir un rayonnement électromagnétique d'une première plage de longueurs d'onde en un rayonnement électromagnétique d'une deuxième plage de longueurs d'onde, qui diffère de la première plage de longueurs d'onde et une couche d'assemblage (7) convertissant les longueurs d'onde qui relie la plaquette de conversion (6) avec la surface de sortie de rayonnement. La couche d'assemblage (7) convertissant les longueurs d'onde présente des particules de substance luminescente (4), qui conviennent pour convertir le rayonnement d'une première plage de longueurs d'onde en un rayonnement d'une troisième plage de longueurs d'onde, qui est différente de la première plage de longueurs d'onde et de la deuxième plage de longueurs d'onde. La couche d'assemblage (7) convertissant les longueurs d'onde présente également une épaisseur maximale de 30 micromètres. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce semi-conductrice optoélectronique, une autre puce semi-conductrice, un élément de conversion et une substance luminescente.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)