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1. (WO2016082967) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BETREIBEN PARALLEL GESCHALTETER LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2016/082967    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2015/071696
Veröffentlichungsdatum: 02.06.2016 Internationales Anmeldedatum: 22.09.2015
IPC:
H03K 17/12 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Erfinder: RICHTER, Tobias; (DE).
KILB, Jochen; (DE).
ALDINGER, Stefan; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2014 224 168.5 26.11.2014 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM BETREIBEN PARALLEL GESCHALTETER LEISTUNGSHALBLEITERSCHALTER
(EN) METHOD AND DEVICE FOR OPERATING POWER SEMICONDUCTOR SWITCHES CONNECTED IN PARALLEL
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR FAIRE FONCTIONNER DES SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE BRANCHÉS EN PARALLÈLE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren (100) und ein Steuergerät (SG) zum Betreiben parallel geschalteter Leistungshalbleiterschalter (LH1..LHn) mit den Schritten ermitteln einer Sollgröße für einen Gesamtgatevorwiderstand (GGVL.GGVn) mindestens eines Leistungshalbleiterschalters (LH1..LHn); Bilden des Gesamtgatevorwiderstands (GGV1..GGVn) für den mindestens einen Leistungshalbleiterschalter (LH1..LHn) in Abhängigkeit der jeweiligen Sollgröße und Betreiben des mindestens einen Leistungshalbleiterschalters (LH1..LHn) mit dem zugehörigen Gesamtgatevorwiderstand (GGV1..GGVn).
(EN)The invention relates to a method (100) and a control device (SG) for operating power semiconductor switches (LH1 .. LHn) connected in parallel, having the following steps: determining a nominal value for a total gate series resistor (GGVL.GGVn) of at least one power semiconductor switch (LH1 ..LHn); providing the total gate series resistor (GGV1 ..GGVn) for the at least one power semiconductor switch (LH1 ..LHn) depending on the relevant nominal value, and operating the at least one power semiconductor switch (LH1 ..LHn) with the associated total gate series resistor (GGV1 ..GGVn).
(FR)L'invention concerne un procédé (100) et un contrôleur (SG) pour faire fonctionner des semi-conducteurs de puissance (LH1..LHn) branchés en parallèle, le procédé comprenant les étapes suivantes : détermination d'une grandeur de consigne pour une résistance série de gâchette totale (GGVL..GGVn) d'au moins un semi-conducteur de puissance (LH1..LHn) ; formation de la résistance série de gâchette totale (GGV1..GGVn) pour ledit semi-conducteur de puissance (LH1..LHn) en fonction de la grandeur de consigne correspondante et fonctionnement dudit semi-conducteur de puissance (LH1..LHn) avec la résistance série de gâchette totale (GGV1..GGVn) associée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)