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1. (WO2016062477) VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER SCHICHTENFOLGE UND HALBLEITERLASER-VORRICHTUNG

Pub. No.:    WO/2016/062477    International Application No.:    PCT/EP2015/071610
Publication Date: Fri Apr 29 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Tue Sep 22 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01S 5/20
H01L 21/762
H01S 5/2081
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: RUMBOLZ, Christian
GERHARD, Sven
Title: VERFAHREN ZUR STRUKTURIERUNG EINER SCHICHTENFOLGE UND HALBLEITERLASER-VORRICHTUNG
Abstract:
Es werden ein Verfahren zur Strukturierung einer Schichtenfolge sowie eine Halbleiterlaser-Vorrichtung angegeben. Bei dem Verfahren erfolgt die Erzeugung zumindest eines Grabens (4) in der Schichtenfolge (10) durch zwei Plasmaätzverfahren. Die Halbleiterlaser-Vorrichtung umfasst eine Schichtenfolge (10), die mit einem Halbleitermaterial gebildet ist, und zwei Gräben (4) in der Schichtenfolge (10), die einen Stegwellenleiter (30) seitlich begrenzen, wobei jeder der Gräben (4) an seiner dem Stegwellenleiter (30) abgewandten Seite von einem Bereich (A) der Schichtenfolge (10) begrenzt ist.