Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2016059789) METHOD FOR FORMING FILM ON FLEXIBLE SUBSTRATE USING VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/059789 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2015/005176
Veröffentlichungsdatum: 21.04.2016 Internationales Anmeldedatum: 13.10.2015
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/56 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/54 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
56
für kontinuierliches Beschichten besonders angepasste Vorrichtungen; Einrichtungen zur Aufrechterhaltung des Vakuums, z.B. Vakuumschleusen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
455
gekennzeichnet durch das Verfahren zum Einführen von Gasen in den Reaktionsraum oder zum Modifizieren von Gasströmungen im Reaktionsraum
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
54
für kontinuierliches Beschichten besonders angepasste Vorrichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
314
Anorganische Schichten
316
zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis
Anmelder:
凸版印刷株式会社 TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都台東区台東1丁目5番1号 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo 1100016, JP
Erfinder:
今 真人 KON, Masato; null
Vertreter:
特許業務法人 小笠原特許事務所 OGASAWARA PATENT OFFICE; 大阪府吹田市江坂町1丁目23番101号 大同生命江坂ビル13階 Daido-Seimei Esaka Bldg., 13th Floor, 1-23-101, Esakacho, Suita-shi, Osaka 5640063, JP
Prioritätsdaten:
2014-21029914.10.2014JP
Titel (EN) METHOD FOR FORMING FILM ON FLEXIBLE SUBSTRATE USING VAPOR PHASE DEPOSITION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SUR UN SUBSTRAT FLEXIBLE À L'AIDE D'UN PROCÉDÉ DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) フレキシブル基板上への気相成長法による成膜方法
Zusammenfassung:
(EN) For the purpose of reducing the size of a device as a whole, and improving productivity by improving efficiency, a method for forming a film on a flexible substrate using a vapor phase deposition method is provided. A film-forming method of the present invention includes: a step wherein components contained in a starting material gas containing a metal or silicon are adsorbed on a flexible substrate by passing the flexible substrate through a first zone, to which the starting material gas has been introduced, said first zone being in a vacuum chamber; and a step wherein a film is formed by sputtering by passing the flexible substrate through a second zone in the vacuum chamber, said second zone being separated from the first zone, and being provided with a target material containing a metal or silicon.
(FR) L'invention concerne un procédé de formation d'un film sur un substrat flexible à l'aide d'un procédé de dépôt en phase vapeur dans le but de réduire la taille d'un dispositif dans son ensemble et d'améliorer la productivité par l'amélioration du rendement. Le procédé de formation de film selon la présente invention comprend : une étape dans laquelle des constituants contenus dans une matière de départ gazeuse contenant un métal ou du silicium sont adsorbés sur un substrat flexible par passage du substrat flexible dans une première zone, dans laquelle la matière de départ gazeuse a été introduite, ladite première zone étant dans une chambre à vide ; et une étape dans laquelle un film est formé par pulvérisation cathodique par passage du substrat flexible dans une seconde zone dans la chambre à vide, ladite seconde zone étant séparée de la première zone et étant pourvue d'un matériau cible contenant un métal ou du silicium.
(JA)  装置全体を小型化可能とし、また効率を向上させて生産性を向上させるための、フレキシブル基板上への気相成長法による成膜方法を提供する。 成膜方法は、真空チャンバー内の、金属または珪素を含む原料ガスが導入された第1のゾーンを、フレキシブル基板に通過させ原料ガスに含まれる成分をフレキシブル基板に吸着させる工程と、真空チャンバー内の、第1のゾーンと隔てられた、金属または珪素を含むターゲット材を備えた第2のゾーンを、フレキシブル基板に通過させスパッタ成膜を行う工程とを含む。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)