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1. (WO2016059134) HALBBRÜCKE MIT ZWEI HALBLEITERSCHALTERN ZUM BETREIBEN EINER LAST
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2016/059134 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2015/073834
Veröffentlichungsdatum: 21.04.2016 Internationales Anmeldedatum: 15.10.2015
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 16.08.2016
IPC:
H03K 17/0814 (2006.01) ,H02M 1/34 (2007.01) ,H02M 3/155 (2006.01) ,H03K 17/16 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
08
Ausbildung von Schaltern zum Schutz vor Überstrom oder Überspannung
081
ohne Rückführung vom Ausgangskreis zum Steuerkreis
0814
mit im Ausgangskreis vorgenommenen Maßnahmen
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
1
Einzelheiten von Umformer-Apparaten
32
Mittel für das Schützen von Umformern, anders als durch selbsttätiges Abschalten
34
Dämpfungsschaltungen (Snubber)
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
3
Umformung von Gleichstrom in Gleichstrom
02
ohne Zwischenumformung in Wechselstrom
04
durch ruhende Umformer
10
unter Verwendung von Entladungsröhren mit Steuerelektrode oder Halbleiterbauelementen mit Steuerelektrode
145
unter Verwendung von Vorrichtungen von der Art einer Entladungsröhre oder eines Transistors, die ein stetiges Anlegen eines Steuersignals erfordern
155
nur mittels Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
16
Ausbildung von Schaltern zum Eliminieren von Störspannungen oder Störströmen
Anmelder:
BECKHOFF AUTOMATION GMBH [DE/DE]; Eiserstrasse 5 33415 Verl, DE
Erfinder:
PRÜSSMEIER, Uwe; DE
Vertreter:
PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2014 114 954.815.10.2014DE
Titel (EN) HALF BRIDGE HAVING TWO SEMICONDUCTOR SWITCHES FOR OPERATING A LOAD
(FR) DEMI-PONT AVEC DEUX RELAIS SEMI-CONDUCTEURS POUR FAIRE FONCTIONNER UNE CHARGE
(DE) HALBBRÜCKE MIT ZWEI HALBLEITERSCHALTERN ZUM BETREIBEN EINER LAST
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a half bridge for operating a load comprising a switching device having a high-side semiconductor switch (T1) and a low-side semiconductor switch (T2) which are serially connected to one another via one of the respective current connections thereof. A control port is associated with each semiconductor switch via its control connection, which according to a control signal switches the respective semiconductor switch to be conductive or to be inhibiting. The load can be connected between the high-side semiconductor switch and the low-side semiconductor switch and to a load relief device (L1, C1) which is connected to the switching device in order to collect current in a switching operation in the switching device. The invention further relates to a circuit arrangement having at least one half bridge.
(FR) L'invention concerne un demi-pont pour faire fonctionner une charge avec : un ensemble de circuits qui comprend un relais semi-conducteur côté haut (T1) et un relais semi-conducteur côté bas (T2) qui sont reliés entre eux en série par une de leurs bornes de courant, chaque relais semi-conducteur étant associé par sa borne de commande à une commande qui, selon un signal de commande, passe le relais semi-conducteur concerné en mode passant ou bloqué tandis que la charge peut être raccordée entre le relais semi-conducteur côté haut et le relais semi-conducteur côté bas ; et un dispositif de décharge (L1, C1) qui est relié à l’ensemble de circuits pour recevoir un courant lors d’une opération de commutation dans l’ensemble de circuits. L'invention concerne en outre un ensemble de circuits avec au moins un demi-pont.
(DE) Die Erfindung betrifft eine Halbbrücke zum Betreiben einer Last mit einer Schalteinrichtung, die einen High-Side-Halbleiterschalter (T1) und einen Low-Side-Halbleiterschalter (T2) aufweist, die jeweils über einen ihre Stromanschlüsse seriell miteinander verbunden sind, wobei jedem Halbleiterschalter über seinen Steueranschluss eine Ansteuerung zugeordnet ist, die nach Maßgabe eines Ansteuersignais den jeweiligen Halbleiterschalter leitend oder sperrend schaltet und wobei die Last zwischen dem High-Side- und dem Low-Side-Halbleiterschalter anschließbar ist sowie einer Entlastungseinrichtung (L1, C1), die mit der Schalteinrichtung verbunden ist, um bei einem Schaltvorgang in der Schalteinrichtung Strom aufzunehmen. Außerdem betrifft die Erfindung eine Schaltungsanordnung, mit wenigstens einer Halbbrücke.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)